"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932-2000)
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

[!t] 18 сентября 2012 года исполнилось 80 лет со дня рождения Сергея Петровича Соловьева, доктора физико-математических наук, профессора. Сергей Петрович Соловьев родился 18 сентября 1932 года в деревне Малинки Загорского района Московской области в большой крестьянской семье. Окончив с отличием Краснозаводский химико-технологический техникум, он в 1951 г. поступил в Московский инженерно-физический институт (МИФИ). По окончании с отличием в 1957 г. МИФИ С. П. Соловьев был направлен на работу в Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова (НИФХИ, г. Москва), где ранее выполнял дипломную работу по рентгеноструктурному анализу сегнетоэлектриков. С. П. Соловьев поступил в НИФХИ в аспирантуру и после защиты кандидатской диссертации в 1960 г. был направлен в город Обнинск для постановки экспериментальных исследований в создававшемся тогда крупном радиационно-химическом центре-филиале НИФХИ им. Л. Я. Карпова. Центр оснащался одним из 15 отечественных исследовательских ядерных реакторов --- реактором ВВР-ц, мощными излучательными гамма-установками и ускорителями электронов, что требовало непосредственного участия физиков. С. П. Соловьев с 1960 по 1982 г.г. работал в филиале НИФХИ. В течение последних десяти лет он являлся директором филиала. Как ученый-исследователь С. П. Соловьев создал в Обнинском филиале НИФХИ солидную экспериментальную базу и научные направления нейтроно-динамических исследований твердого тела, нейтроно- и рентгеноструктурных исследований (совместно с Р. П. Озеровым и В. Я. Дударевым), исследований по радиационной физике твердого тела и ее техническим приложениям --- радиационной стойкости и радиационному модифицированию свойств неорганических неметаллических материалов (совместно с И. И. Кузьминым). Защитив докторскую диссертацию, он, организуя и направляя исследования молодых коллег, создал в Обнинске свою научную школу, обеспечил выполнение большого объема прикладных работ по ответственным государственным проектам, стал профессором (1978 г.). Он был постоянным участником международных кристаллографических конгрессов и конференций по сегнетоэлектричеству, региональных конференций по кристаллографии, сегнетоэлектричеству, радиационной физике твердого тела. Под его руководством и при его поддержке защищено много кандидатских и докторских диссертаций. Он был членом двух проблемных советов АН СССР и заместителем главного редактора журнала "Ядерная энергетика". С. П. Соловьев совместно с ведущими специалистами академических и отраслевых институтов и организаций (более 100) Москвы, Ленинграда, Новосибирска, Томска, Киева, Минска, Тбилиси, Ташкента, Алма-Аты, Риги, Вильнюса, при поддержке президента АН СССР академика А. П. Александрова и Всесоюзного объединения "Союзредмет" организовал на ядерном реакторе ВВР-ц пионерские масштабные исследования по ядерному легированию полупроводников. На базе филиала НИФХИ были всесторонне исследованы все технологические этапы процесса ядерного легирования (золотая медаль ВДНХ СССР), изучены механизмы образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, создана технологическая линия и организован промышленный выпуск слитков ядерно-легированного кремния. С.П. Соловьевым (совместно с Н.Г. Колиным) на реакторе ВВР-ц были начаты перспективные исследования по ядерному легированию и радиационному модифицированию свойств полупроводников AIIIBV. Технология была доведена до выпуска опытных партий монокристаллических пластин, в том числе высококачественного радиационно-модифицированного полуизолирующего арсенида галлия диаметром до 104 мм. В настоящее время по разработанным радиационным технологиям на базе реактора ВВР-ц филиала ФГУП "НИФХИ им. Л. Я. Карпова" выпускается до нескольких тонн в год ядерно-легированных и радиационно-модифицированных слитков и пластин полупроводниковых материалов. Технология ядерного легирования кремния была внедрена филиалом на ряде действующих исследовательских и промышленных ядерных реакторов России. По инициативе и под руководством С. П. Соловьева в Обнинске регулярно проводился Всесоюзный семинар по ядерному легированию полупроводников, который являлся составной частью семинара по радиационной физике полупроводников, проводимого ежегодно в Новосибирске под руководством профессора Л. С. Смирнова Семинар стал координационным центром по радиационной физике и технологии ядерного легирования полупроводников. По результатам исследований С. П. Соловьевым (совместно с Л. С. Смирновым, В. А. Харченко и В. Ф. Стасом) выпущена книга "Легирование полупроводников методом ядерных реакций" (1981 г.), которая впоследствии была переведена на китайский язык. Перейдя в 1983 г. на организационно-преподавательскую работу в Обнинский филиал МИФИ (теперь ИАТЭ НИЯУ "МИФИ"), Сергей Петрович много лет был проректором по учебной работе и заведовал кафедрой атомных электростанций, а затем кафедрой материаловедения. В последние годы жизни он сосредоточился на профессорско-преподавательской работе. Под его редакцией как специалиста и как участника ликвидации последствий Чернобыльской катастрофы выпущен учебник "Аварии и инциденты на атомных электростанциях". Он участвовал в издании учебника для студентов старших курсов "Физическая кристаллография". Активная жизненная позиция и принципиальность Сергея Петровича при его демократизме и доброте делали его признанным лидером. Будучи живым, энергичным, доброжелательным и всесторонне образованным человеком, замечательным собеседником, он всегда работал с полной отдачей. Светлую память о Сергее Петровиче Соловьеве навсегда сохранят все, кому посчастливилось с ним работать и общаться. В. Н. Брудный, В. Т. Бублик, Б. Н. Гошицкий, В. В. Емцев, Ю. А. Казанский, Р. Ф. Коноплева, Ю. В. Конобеев, Н. Г. Колин, И. И. Кузьмин, В. Н. Мордкович, Р. П. Озеров, В. Б. Освенский,А. А. Стук, В. А. Харченко. Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  1. В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров. Петербургский журн. электроники, 3, 53 (1996)
  2. H. Shiomi, H. Kinoshita, T. Furusho, T. Hayashi, M. Tajima, E. Higashi. J. Cryst. Growth, 292, 188 (2006)
  3. J. Li, O. Filip, B.M. Epelbaum, X. Xu, M. Bickermann, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 308, 41 (2007)
  4. H.-J. Rost, M. Schmidbauer, D. Siche, R. Fornari. J. Cryst. Growth, 290, 137 (2006)
  5. S. Lele, B. Prasad, T.R. Anantharaman. Acta Crystallogr. A, 25, 471 (1969)
  6. G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Physica B, 404, 4745 (2009)
  7. S. Maximenko, J.A. Freitas, Jr., P.B. Klein, A. Shrivastava, T.S. Sudarshan Appl. Phys. Lett., 94, 092 101 (2009)
  8. G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 92, 221 906 (2008)
  9. H. Tsuchida, I. Kamata, M. Nagano. J. Cryst. Growth, 310, 757 (2008)
  10. H. Song, T. Rana, T.S. Sudarshan. J. Cryst. Growth, 320, 95 (2011)
  11. А. Верма, П. Кришна. Полиморфизм и политипизм в кристаллах (М.: Мир, 1969) с. 85
  12. А.О. Лебедев. Завод. лаб.: диагностика материалов, 3, 16 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.