"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932-2000)
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

[!t] 18 сентября 2012 года исполнилось 80 лет со дня рождения Сергея Петровича Соловьева, доктора физико-математических наук, профессора. Сергей Петрович Соловьев родился 18 сентября 1932 года в деревне Малинки Загорского района Московской области в большой крестьянской семье. Окончив с отличием Краснозаводский химико-технологический техникум, он в 1951 г. поступил в Московский инженерно-физический институт (МИФИ). По окончании с отличием в 1957 г. МИФИ С. П. Соловьев был направлен на работу в Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова (НИФХИ, г. Москва), где ранее выполнял дипломную работу по рентгеноструктурному анализу сегнетоэлектриков. С. П. Соловьев поступил в НИФХИ в аспирантуру и после защиты кандидатской диссертации в 1960 г. был направлен в город Обнинск для постановки экспериментальных исследований в создававшемся тогда крупном радиационно-химическом центре-филиале НИФХИ им. Л. Я. Карпова. Центр оснащался одним из 15 отечественных исследовательских ядерных реакторов --- реактором ВВР-ц, мощными излучательными гамма-установками и ускорителями электронов, что требовало непосредственного участия физиков. С. П. Соловьев с 1960 по 1982 г.г. работал в филиале НИФХИ. В течение последних десяти лет он являлся директором филиала. Как ученый-исследователь С. П. Соловьев создал в Обнинском филиале НИФХИ солидную экспериментальную базу и научные направления нейтроно-динамических исследований твердого тела, нейтроно- и рентгеноструктурных исследований (совместно с Р. П. Озеровым и В. Я. Дударевым), исследований по радиационной физике твердого тела и ее техническим приложениям --- радиационной стойкости и радиационному модифицированию свойств неорганических неметаллических материалов (совместно с И. И. Кузьминым). Защитив докторскую диссертацию, он, организуя и направляя исследования молодых коллег, создал в Обнинске свою научную школу, обеспечил выполнение большого объема прикладных работ по ответственным государственным проектам, стал профессором (1978 г.). Он был постоянным участником международных кристаллографических конгрессов и конференций по сегнетоэлектричеству, региональных конференций по кристаллографии, сегнетоэлектричеству, радиационной физике твердого тела. Под его руководством и при его поддержке защищено много кандидатских и докторских диссертаций. Он был членом двух проблемных советов АН СССР и заместителем главного редактора журнала "Ядерная энергетика". С. П. Соловьев совместно с ведущими специалистами академических и отраслевых институтов и организаций (более 100) Москвы, Ленинграда, Новосибирска, Томска, Киева, Минска, Тбилиси, Ташкента, Алма-Аты, Риги, Вильнюса, при поддержке президента АН СССР академика А. П. Александрова и Всесоюзного объединения "Союзредмет" организовал на ядерном реакторе ВВР-ц пионерские масштабные исследования по ядерному легированию полупроводников. На базе филиала НИФХИ были всесторонне исследованы все технологические этапы процесса ядерного легирования (золотая медаль ВДНХ СССР), изучены механизмы образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, создана технологическая линия и организован промышленный выпуск слитков ядерно-легированного кремния. С.П. Соловьевым (совместно с Н.Г. Колиным) на реакторе ВВР-ц были начаты перспективные исследования по ядерному легированию и радиационному модифицированию свойств полупроводников AIIIBV. Технология была доведена до выпуска опытных партий монокристаллических пластин, в том числе высококачественного радиационно-модифицированного полуизолирующего арсенида галлия диаметром до 104 мм. В настоящее время по разработанным радиационным технологиям на базе реактора ВВР-ц филиала ФГУП "НИФХИ им. Л. Я. Карпова" выпускается до нескольких тонн в год ядерно-легированных и радиационно-модифицированных слитков и пластин полупроводниковых материалов. Технология ядерного легирования кремния была внедрена филиалом на ряде действующих исследовательских и промышленных ядерных реакторов России. По инициативе и под руководством С. П. Соловьева в Обнинске регулярно проводился Всесоюзный семинар по ядерному легированию полупроводников, который являлся составной частью семинара по радиационной физике полупроводников, проводимого ежегодно в Новосибирске под руководством профессора Л. С. Смирнова Семинар стал координационным центром по радиационной физике и технологии ядерного легирования полупроводников. По результатам исследований С. П. Соловьевым (совместно с Л. С. Смирновым, В. А. Харченко и В. Ф. Стасом) выпущена книга "Легирование полупроводников методом ядерных реакций" (1981 г.), которая впоследствии была переведена на китайский язык. Перейдя в 1983 г. на организационно-преподавательскую работу в Обнинский филиал МИФИ (теперь ИАТЭ НИЯУ "МИФИ"), Сергей Петрович много лет был проректором по учебной работе и заведовал кафедрой атомных электростанций, а затем кафедрой материаловедения. В последние годы жизни он сосредоточился на профессорско-преподавательской работе. Под его редакцией как специалиста и как участника ликвидации последствий Чернобыльской катастрофы выпущен учебник "Аварии и инциденты на атомных электростанциях". Он участвовал в издании учебника для студентов старших курсов "Физическая кристаллография". Активная жизненная позиция и принципиальность Сергея Петровича при его демократизме и доброте делали его признанным лидером. Будучи живым, энергичным, доброжелательным и всесторонне образованным человеком, замечательным собеседником, он всегда работал с полной отдачей. Светлую память о Сергее Петровиче Соловьеве навсегда сохранят все, кому посчастливилось с ним работать и общаться. В. Н. Брудный, В. Т. Бублик, Б. Н. Гошицкий, В. В. Емцев, Ю. А. Казанский, Р. Ф. Коноплева, Ю. В. Конобеев, Н. Г. Колин, И. И. Кузьмин, В. Н. Мордкович, Р. П. Озеров, В. Б. Освенский,А. А. Стук, В. А. Харченко. Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  • В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров. Петербургский журн. электроники, 3, 53 (1996)
  • H. Shiomi, H. Kinoshita, T. Furusho, T. Hayashi, M. Tajima, E. Higashi. J. Cryst. Growth, 292, 188 (2006)
  • J. Li, O. Filip, B.M. Epelbaum, X. Xu, M. Bickermann, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 308, 41 (2007)
  • H.-J. Rost, M. Schmidbauer, D. Siche, R. Fornari. J. Cryst. Growth, 290, 137 (2006)
  • S. Lele, B. Prasad, T.R. Anantharaman. Acta Crystallogr. A, 25, 471 (1969)
  • G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Physica B, 404, 4745 (2009)
  • S. Maximenko, J.A. Freitas, Jr., P.B. Klein, A. Shrivastava, T.S. Sudarshan Appl. Phys. Lett., 94, 092 101 (2009)
  • G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 92, 221 906 (2008)
  • H. Tsuchida, I. Kamata, M. Nagano. J. Cryst. Growth, 310, 757 (2008)
  • H. Song, T. Rana, T.S. Sudarshan. J. Cryst. Growth, 320, 95 (2011)
  • А. Верма, П. Кришна. Полиморфизм и политипизм в кристаллах (М.: Мир, 1969) с. 85
  • А.О. Лебедев. Завод. лаб.: диагностика материалов, 3, 16 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.