"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Явления переноса в слоистых анизотропных соединениях MeBi4Te7 (Me=Ge, Pb, Sn)
Житинская М.К.1, Немов С.А.1, Благих Н.М.1, Шелимова Л.Е.2, Свечникова Т.Е.2
1Государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Проведены экспериментальные исследования кинетических коэффициентов (Нернста--Эттингсгаузена Q123, электропроводности sigma11, теплопроводности kappaii, Зеебека S11, S33 и Холла R213) в образцах слоистых соединений из гомологического ряда AIVBVI-AV2BVI3 (AIV-Ge, Sn, Pb; AV-Bi, Sb; BVI-Te), именно SnBi4Te7 и PbBi4Te7 n-типа проводимости, в интервале температур 77-400 K. Кристаллы были выращены методом Чохральского. Анализ результатов показал, что полученные данные по явлениям переноса в SnBi4Te7 и PbBi4Te7 можно описать в рамках однозонной модели энергетического спектра. Сравнение найденных параметров для стехиометрических образцов показало, что при переходе от GeBi4Te7 к SnBi4Te7 и PbBi4Te7 плотность электронных состояний растет и увеличивается доля рассеяния электронов на ионах примесей. Определено, что дополнительное легирование кадмием и серебром соединения PbBi4Te7 оказывает существенное влияние на его электронную и фононную системы, подобно тому, как легирование медью влияет на электрические и тепловые свойства соединения GeBi4Te7.
  1. M.G. Kanatzidis. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by T.M. Tritt (San Diego--San--Francisco--N. Y.--Boston--London--Sydney--Tokyo, Academic Press, 2001) v. 69, p. 51
  2. L.E. Shelimova, P.P. Konstantinov, O.G. Karpinsky. J. Alloys Comp., 329 (1), 50 (2001)
  3. Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, Е.С. Авилов. Неорг. матер., 38 (8), 947 (2002)
  4. Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, Т.Е. Свечникова. Неорг. матер., 40 (12), 1440 (2004)
  5. О.Г. Карпинский, Л.Е. Шелимова, М.А. Кретова. Неорг. матер., 39 (3), 1 (2003)
  6. V.L. Kuznetsov, L.A. Kuznetsova, D.M. Rowe. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 700 (2001)
  7. Т.Б. Жукова, В.А. Кутасова, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов. Неорг. матер., 10, 2221 (1974)
  8. М.К. Житинская, С.А. Немов, А.А. Мухтарова, Л.Е. Шелимова, Т.Е. Свечникова, П.П. Константинов. ФТП, 44 (6), 759 (2010)
  9. М.К. Житинская, С.А. Немов, Л.Е. Шелимова, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 50 (7), 1166 (2008)
  10. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.