"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Явления переноса в слоистых анизотропных соединениях MeBi4Te7 (Me=Ge, Pb, Sn)
Житинская М.К.1, Немов С.А.1, Благих Н.М.1, Шелимова Л.Е.2, Свечникова Т.Е.2
1Государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Проведены экспериментальные исследования кинетических коэффициентов (Нернста--Эттингсгаузена Q123, электропроводности sigma11, теплопроводности kappaii, Зеебека S11, S33 и Холла R213) в образцах слоистых соединений из гомологического ряда AIVBVI-AV2BVI3 (AIV-Ge, Sn, Pb; AV-Bi, Sb; BVI-Te), именно SnBi4Te7 и PbBi4Te7 n-типа проводимости, в интервале температур 77-400 K. Кристаллы были выращены методом Чохральского. Анализ результатов показал, что полученные данные по явлениям переноса в SnBi4Te7 и PbBi4Te7 можно описать в рамках однозонной модели энергетического спектра. Сравнение найденных параметров для стехиометрических образцов показало, что при переходе от GeBi4Te7 к SnBi4Te7 и PbBi4Te7 плотность электронных состояний растет и увеличивается доля рассеяния электронов на ионах примесей. Определено, что дополнительное легирование кадмием и серебром соединения PbBi4Te7 оказывает существенное влияние на его электронную и фононную системы, подобно тому, как легирование медью влияет на электрические и тепловые свойства соединения GeBi4Te7.
  • M.G. Kanatzidis. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by T.M. Tritt (San Diego--San--Francisco--N. Y.--Boston--London--Sydney--Tokyo, Academic Press, 2001) v. 69, p. 51
  • L.E. Shelimova, P.P. Konstantinov, O.G. Karpinsky. J. Alloys Comp., 329 (1), 50 (2001)
  • Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, Е.С. Авилов. Неорг. матер., 38 (8), 947 (2002)
  • Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, Т.Е. Свечникова. Неорг. матер., 40 (12), 1440 (2004)
  • О.Г. Карпинский, Л.Е. Шелимова, М.А. Кретова. Неорг. матер., 39 (3), 1 (2003)
  • V.L. Kuznetsov, L.A. Kuznetsova, D.M. Rowe. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 700 (2001)
  • Т.Б. Жукова, В.А. Кутасова, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов. Неорг. матер., 10, 2221 (1974)
  • М.К. Житинская, С.А. Немов, А.А. Мухтарова, Л.Е. Шелимова, Т.Е. Свечникова, П.П. Константинов. ФТП, 44 (6), 759 (2010)
  • М.К. Житинская, С.А. Немов, Л.Е. Шелимова, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 50 (7), 1166 (2008)
  • Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.