"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC
Фоминский В.Ю.1, Григорьев С.Н.2, Романов Р.И.1, Зуев В.В.1, Григорьев В.В.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Московский государственный технологический университет "Станкин", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2012 г.

Получены тонкопленочные структуры на основе газочувствительного оксида вольфрама и каталитической платины, нанесенных при комнатной температуре на карбидокремниевую пластину с использованием импульсных методов лазерного и ионно-плазмeнного осаждения. Нагрев на воздухе до 600oC оксидных слоев вызывал формирование микро- и наноструктурированных кристаллических состояний, зависящих от условий осаждения. Структурные различия отражались на электрофизических параметрах и стабильности характеристик. Максимальная реакция на водород обнаружена в структуре, полученной осаждением низкоэнергетичного лазерно-инициированного потока атомов вольфрама в кислороде. Сдвиг вольт-амперных кривых по напряжению в смеси 2% H2 в воздухе при 350oC достигал 4.6 В при токе ~10 мкА. Метастабильность полученных структур обусловливала заметное уменьшение сдвига после длительных циклических испытаний. Наиболее стабильные величины сдвига составили ~2 В при положительном смещении на Pt-контакте и были обнаружены для оксидных пленок, полученных ионно-плазменным распылением.
  • О.В. Анисимов, В.И. Гаман, Н.К. Максимова, Ю.П. Найден, В.А. Новиков, Е.Ю. Севастьянов, Ф.В. Рудов, Е.В. Черников. ФТП, 44 (3), 383 (2010)
  • A. Trinchi, S. Kandasamy, W. Wlodarski. Sensors Actuators B, 133, 705 (2008)
  • S. Kandasamy, A. Trinchi, W. Wlodarski, E. Comini, G. Sberveglieri. Sensors Actuators B, 111-112, 111 (2005)
  • S. Nakagomi, K. Okuda, Y. Kokubun. Sensors Actuators B, 96, 364 (2003)
  • G. Soto, W. De La Cruz, J.A. Di az, R. Machorro, F.F. Castillon, M.H. Fari as. Appl. Surf. Sci., 218, 281 (2003)
  • S. Yamamoto, A. Inouye, M. Yoshikawa. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., B, 266, 802 (2008)
  • M. Filipescu, S. Orlando, V. Russo, A. Lamperti, A. Purice, A. Moldovan, M. Dinescu. Appl. Surf. Sci., 253, 8258 (2007)
  • R.N. Ghosh, P. Tobias, B. Golden. Mater. Res. Soc. Symp., 742, K7.5.1 (2003)
  • В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, А.Г. Гнедовец, В.В. Зуев, М.В. Демин. ФТП, 44 (4), 556 (2010)
  • Н.Ф. Ковтонюк, Ю.А. Концевой. Измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1970)
  • Р.И. Романов, В.В. Зуев, В.Ю. Фоминский, М.В. Демин, В.В. Григорьев. ФТП, 44 (9), 1229 (2010)
  • K. Sauvet, A. Rougier, L. Sauques. Sol. Energy Mater. Solar. Cells, 92, 209 (2008)
  • В.Н. Неволин, В.Ю. Фоминский, А.Г. Гнедовец, Р.И. Романов. ФХОМ, 2, 46 (2010)
  • S.J. Hong, H. Jun, P.H. Borse, J.S. Lee. Int. J. Hydrogen Energy, 34, 3234 (2009)
  • Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.