Исследована кинетика отклика фототока легированных и нелегированных образцов TlBr при облучении от gamma-источника ¹³⁷Cs мощностью дозы от 0.033 до 3.84 Гр/мин. Кристаллы выращивались методом направленной кристаллизации расплава по Бриджмену-Стокбаргеру. Массовая доля вносимой примеси Pb в легированных кристаллах TlBr составляла 1-10 ppm, а примеси Ca - 150 ppm. Рост кристаллов проводился в вакууме, в парах брома, в атмосфере водорода и на воздухе. Для примесных кристаллов, легированных двухвалентными катионами, независимо от атмосферы роста, а также для кристаллов, выращенных в водороде, и кристаллов, выращенных при избытке таллия, наблюдался спад фототока. Постоянная спада фототока tau составляла 30-1400 с и была пропорциональна удельному сопротивлению. Показано, что отклик тока может быть связан с фотолизом в кристаллах TlBr во время gamma-облучения. Проведена оценка энергии дырочных ловушек, ответственных за медленное нарастание фототока, она составила величину 0.6-0.85 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.