Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au-Ti-Pd2Si-n+-Si, подвергнутых микроволновому облучению
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления Rc омического контакта Au-Ti-Pd2Si-n+-Si предложен механизм токопереноса, объясняющий растущие с повышением температуры измерения в диапазоне 100-380 K величины Rc, наблюдаемые экспериментально. Показано, что микроволновая обработка таких контактов приводит к уменьшению разброса Rc по пластине и уменьшению величины Rc при сохранении роста Rc в диапазоне температур 100-380 K.
- S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor devices (A. John Wiley \& Sons. Inc. Publication, 2007)
- Contacts to Semiconductors. Fundamentals and Technology, ed. by L. Brillson (Park Rige, N. J., USA, 1993)
- Г.П. Пека, В.И. Стриха. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках (Киев, Лыбедь, 1992)
- A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.N. Sheremet. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelecrton., 13 (4), 436 (2010)
- A.E. Belyaev, E.F. Venger, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, G.S. Svechnikov, E.A. Soloviov, L.L. Fedorenko. Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures (Kiev, Intas, 2002)
- D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 14 (4), 1605 (1976)
- В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (М., Наука, 1967)
- А.Е. Гершинский, А.В. Ржанов, Е.И. Черепов. Микроэлектроника, 11 (2), 83 (1982)
- P.E. Schmid, P.S. Ho, H. Foll, G.W. Rubloff. J. Vac. Sci. Technol., 18 (3), 937 (1981)
- V.M. Ievlev, S.B. Kushev, A.V. Bugakov, S.A. Soldatenko, B.N. Markushev, I.G. Rudneva. Proc. ISFTE-12 (Kharkov, 2002) p. 201
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
- Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС (М., Мир, 1986) [Пер. с англ.: S.P. Murarka. Silicides for VLSI Applications (Academic Press, N. Y.-London, 1983)]
- В.И. Пашков, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Письма ЖТФ, 20 (8), 14 (1994)
- E.D. Atanasova, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, V.V. Shynkarenko. Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structures (Kharkiv, NTS Institute for Single Crystals, 2007)
- Н.С. Болтовец, А.Б. Камалов, Е.Ю. Колядина, Р.В. Конакова, П.М. Литвин, О.С. Литвин, Л.А. Матвеева, В.В. Миленин, А.Е. Ренгевич. Письма ЖТФ, 28 (4), 57 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
