Вышедшие номера
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au-Ti-Pd2Si-n+-Si, подвергнутых микроволновому облучению
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Саченко А.В.1, Шеремет В.Н.1, Виноградов А.О.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления Rc омического контакта Au-Ti-Pd2Si-n+-Si предложен механизм токопереноса, объясняющий растущие с повышением температуры измерения в диапазоне 100-380 K величины Rc, наблюдаемые экспериментально. Показано, что микроволновая обработка таких контактов приводит к уменьшению разброса Rc по пластине и уменьшению величины Rc при сохранении роста Rc в диапазоне температур 100-380 K.