Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений AIIIBV с высокой плотностью дислокаций
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
4Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
4Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 1 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления rhoc омических контактов к структурам n-n+-n++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста rhoc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100-400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей rhoc(T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты.
- D.K. Schroder. Semiconductor materials and devices characterization (John Willey \& Sons Inc., 2006)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 43 (9), 1204 (2009)
- В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
- Changzhi Lu, Hoagnai Chen, Xiaioliang Lv, Xuesong Xie, Mohamad S. Noor. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
- Zhang Yue-Zong, Feng Shi-Wei, Guo Chun-Sheng, Zhang Guang-Chen, Zhuang Si-Xiang, Su Rong, Bai Yun-Xia, Lu Chang-Zhi. Chin. Phys. Lett., 25 (11), 4083 (2008)
- Th. Clausen, O. Leistiko, Ib Chorkendorff, J. Larsen. Thin Sol. Films, 232, 215 (1993)
- А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет. Тез. докл. 8-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия. Структуры и приборы" (СПб., 2011) с. 229
- Б.А. Лапшинов, А.Б. Камнев, Л.Н. Кравченко, В.Л. Оплеснин. Зарубеж. электрон. техн., N 5, 58 (1987)
- St.J. Dixon-Warren, S. Zhang, R. Kuchibhatla, E.M. Griswold, A. Shen, F. Zheng, S.R. Das. Thin Sol. Films, 472 (1--2), 76 (2005)
- K. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- П.И. Баранский, А.Е. Беляев, О.П. Городничий, Н.Г. Сытилина, П.М. Томчук. ФТП, 13 (3), 488 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
