"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений AIIIBV с высокой плотностью дислокаций
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Бобыль А.В.2, Болтовец Н.В.3, Иванов В.Н.3, Капитанчук Л.М.4, Конакова Р.B.1, Кудрик Я.Я.1, Миленин В.В.1, Новицкий С.В.1, Саксеев Д.А.2, Тарасов И.С.2, Шеремет В.Н.1, Яговкина М.А.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
4Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 1 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления rhoc омических контактов к структурам n-n+-n++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста rhoc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100-400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей rhoc(T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты.
  • D.K. Schroder. Semiconductor materials and devices characterization (John Willey \& Sons Inc., 2006)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 43 (9), 1204 (2009)
  • В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
  • Changzhi Lu, Hoagnai Chen, Xiaioliang Lv, Xuesong Xie, Mohamad S. Noor. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
  • Zhang Yue-Zong, Feng Shi-Wei, Guo Chun-Sheng, Zhang Guang-Chen, Zhuang Si-Xiang, Su Rong, Bai Yun-Xia, Lu Chang-Zhi. Chin. Phys. Lett., 25 (11), 4083 (2008)
  • Th. Clausen, O. Leistiko, Ib Chorkendorff, J. Larsen. Thin Sol. Films, 232, 215 (1993)
  • А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет. Тез. докл. 8-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия. Структуры и приборы" (СПб., 2011) с. 229
  • Б.А. Лапшинов, А.Б. Камнев, Л.Н. Кравченко, В.Л. Оплеснин. Зарубеж. электрон. техн., N 5, 58 (1987)
  • St.J. Dixon-Warren, S. Zhang, R. Kuchibhatla, E.M. Griswold, A. Shen, F. Zheng, S.R. Das. Thin Sol. Films, 472 (1--2), 76 (2005)
  • K. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  • П.И. Баранский, А.Е. Беляев, О.П. Городничий, Н.Г. Сытилина, П.М. Томчук. ФТП, 13 (3), 488 (1979)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.