Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние облучения электронами на электрофизические параметры Hg₃In₂Te₆

Грушка О.Г.¹, Маслюк В.Т.², Чупыра С.М.¹, Мыслюк О.М.¹, Биличук С.В.¹, Заболоцкий И.И.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

²Институт электронной физики НАН Украины, Ужгород, Украина Institute of Electron Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Uzhgorod, Ukraine

Institute of Electron Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Uzhgorod, Ukraine

Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования электрофизических свойств кристаллов Hg₃In₂Te₆, облученных электронами с энергией E_e=18 МэВ и дозой D=4·10¹⁶ см^-2. Показано, что независимо от концентрации носителей заряда исходного материала образцы Hg₃In₂Te₆ после облучения приобретают концентрацию носителей (1.6-1.8)·10¹³ см^-3. Обсуждается явление стабилизации уровня Ферми в облученном материале. Исходная концентрация носителей заряда, которая практически остается неизменной после облучения и обеспечивает высокую радиационную стойкость кристаллов Hg₃In₂Te₆, соответствует компенсированному материалу, подобному собственному полупроводнику при T>260 K.

А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38 (2), 129 (2004)
В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП, 37 (5), 557 (2003)
Н.Г. Колин. Изв. вузов, 46 (6), 12 (2003)
Л.П. Гальчинецкий, В.М. Кошкин, В.М. Кумаков и др. ФТТ, 14 (2), 646 (1972)
В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка. Электрон. техн. Материалы, 2 (175), 75 (1983)
Г.Г. Грушка, Н.П. Гавалешко, З.М. Грушка, В.В. Буковей. Неорг. матер., 27 (1), 154 (1991)
Г.Г. Грушка, З.М. Грушка, Н.П. Гавалешко. Укр. физ. журн., 30 (2), 304 (1985)
О.Г. Грушка, П.Н. Горлей. Перспективные материалы, 6, 33 (2003)
В.М. Кошкин, Ю.Н. Дмитриев, Ю.Р. Забродский и др. ФТП, 18 (8), 1373 (1984)
Г.Г. Грушка, Н.П. Гавалешко, З.М. Грушка, М.А. Валидов. А.с. СССР N 1572260 (1990)
А.И. Малик, Г.Г. Грушка, Н.П. Тевс. ЖТФ, 60 (6), 146 (1990)
А.И. Малик, Г.Г. Грушка. ЖТФ, 60 (10), 188 (1990)
В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, Л.И. Соболева. Электрон. техн. Материалы, 1 (174), 79 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель