Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние дефектообразования при встраивании delta-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 6 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
Исследовано влияние дефектообразования при нанесении delta-слоя Mn и покровного слоя GaAs лазерным испарением на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, расположенными в приповерхностной области.
- S.A. Wolf. Science, 294, 1488 (2001)
- Б.П. Захарченя, В.Л. Корнев. УФН, 175 (6), 628 (2005)
- Б.А. Аронзон, А.Б. Грановский, А.Б. Давыдов и др. ФТТ, 49 (1), 165 (2007)
- М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.С. Бричкин и др. ФТТ, 52, 2147 (2010)
- Y.C. Chen, J. Singh, P.K. Bhattacharya. J. Appl. Phys., 74, 3800 (1993)
- И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
- Б.Н. Звонков, В.В. Подольский, В.П. Лесников и др. Высокочистые вещества, 4, 114 (1993)
- И.А. Карпович, А.П. Горшков, С.Б. Левичев и др. ФТП, 35, 564 (2001)
- S. Schmitt-Rink, D.S. Chemla, D.A.B. Miller et al. Adv. Phys., 38, 89 (1989)
- D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.S. Damen et al. Phys. Rev. B, 32, 1943 (1985)
- А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования, 5, 25 (2006)
- G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
- Н.Г. Баграев. ЖЭТФ, 100, 1378 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
