"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств
Буравлев А.Д.1,2,3, Цырлин Г.Э.1,2,4, Романов В.В.5, Баграев Н.Т.1,5, Брилинская Е.С.5, Лебедева Н.А.3, Новиков С.В.3, Lipsanen H.3, Дубровский В.Г.1,2,5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Aalto, F, Finland
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 21 января 2012 г.

Метод молекулярно-пучковой эпитаксии использован для синтеза массивов (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов на поверхности GaAs(111)B в диапазоне ростовых температур 480-680oC. Установлено, что формирование полученных нитевидных нанокристаллов может быть описано в рамках механизма "пар--жидкость--кристалл". Показано, что рост (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов должен происходить в условиях, стабилизированных по галлию. Выявлено, что полевые и температурные зависимости статической магнитной восприимчивости образцов, полученных при температуре 660oC, демонстрируют парамагнитное поведение.
  • H. Ohno. Science, 281, 951 (1998)
  • M.A. Ruderman, C. Kittel. Phys. Rev., 96, 99 (1954)
  • Y.J. Zhao, T. Shishido, A.J. Freeman. Phys. Rev. Lett., 90, 047 204 (2003)
  • M. Wang, R.P. Campion, A.W. Rushforth, K.W. Edmonds, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Appl. Phys. Lett., 93, 132 103 (2008)
  • W.B. Jian, Z.Y. Wu, R.T. Huang, F.R. Chen, J.J. Kai, C.Y. Wu, S.J. Chiang, M.D. Lan, J.J. Lin. Phys. Rev. B, 73, 233 308 (2006)
  • M.I. van der Meulen, N. Petkov, A. Morris, O. Kazakova, X. Han, K.L. Wang, A.P. Jacob, J.D. Holmes. Nano Lett., 9, 50 (2009)
  • A.D. Bouravlev, S. Mitani, R.M. Rubinger, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev, T. Ishibashi, A. Koukitu, K. Takanashi, K. Sato. Phys. E, 40, 2037 (2008)
  • A.L. Schmitt, J.M. Higgins, S. Jin. Nano Lett., 8, 810 (2008)
  • J. Sadowski, P. Dluzewski, S. Kret, E. Janik, E. Lusakowska, J. Kanski, A. Presz, F. Terki, S. Charar, D. Tang. Nano Lett., 7, 2724 (2007)
  • A. Rudolph, M. Soda, M. Kiessling, T. Wojtowicz, D. Schuh, W. Wegscheider, J. Zweck, C. Back, E. Reiger. Nano Lett., 9, 3860 (2009)
  • F. Martelli, S. Rubini, M. Piccin, G. Bais, F. Jabeen, S. de Franceschi, V. Grillo, E. Carlino, F. D'Acapito, F. Boscherini S. Cabrini, M. Lazzarino, L. Businaro, F. Romanato, A. Franciosi. Nano Lett., 6, 2130 (2006)
  • R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner. Nano Lett., 11, 1247 (2011)
  • Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, Н.К. Поляков, В.П. Улин, В.Г. Дубровский, P. Werner. ФТП, 45, 441 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.