"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире
Воротынцев В.М.1, Шолобов Е.Л.2, Герасимов В.А.2
1Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Научно-производственный центр Научно-исследовательского института измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 ноября 2011 г.

Приведены результаты исследований метода улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя кремния на сапфировой подложке путем его предварительной аморфизации высокоэнергетическими ионами кремния и последующего восстановления (твердофазной рекристаллизации) до структурно-совершенного монокристаллического состояния. Проведен сравнительный анализ структурных и электрофизических параметров композиций "кремний на сапфире" до и после твердофазной рекристаллизации.
  • T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo. Oki Technical Rev., 71 (4), 66 (2004)
  • M.E. Twigg, E.D. Richmond. J. Appl. Phys., 64(6), 3037 (1988)
  • А.С. Адонин. Электронные компоненты, 3, 40 (2000)
  • M.L. Burgener, R.E. Reedy. U.S. Pat., 5.416.043 (1995)
  • T. Nakamura, H. Kobayashi, T. Takahashi, T. Inada. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 7 (8), 275 (1985)
  • С.С. Горелик, Ю.А. Скаков, Л.Н. Расторгуев. Рентгенографический и электронно-оптический анализ (М., МИСИС, 1994) гл. 3, с. 147
  • В.К. Громов. Введение в эллипсометрию (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1986) гл. 6, с. 235
  • E.S. Meieran, P.A. Flinn, J.R. Carruthers. Proc. IEEE, 75 (7), 68 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.