"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Морфология, элементный состав и механические свойства поликристаллических слоев теллурида кадмия
Курило И.В.1, Ильчук Г.А.1, Лукашук С.В.1, Рудый И.А.1, Украинец В.О.1, Чекайло Н.В.1
1Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
Поступила в редакцию: 16 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Представлены результаты исследования морфологии (размеры зерен, двойникование, акцессории роста), элементного состава и некоторых механических свойств поликристаллических слоев теллурида кадмия, осажденных на неориентирующие подложки в квазизамкнутом объеме. Установлены зависимости микротвердости от размера кристаллитов и толщины слоя. Проведены оценочные расчеты напряжений на границе раздела подложка-слой, вызыванных различием значений термических коэффициентов линейного расширения.
  • С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.Ф. Плотников. ФТП, 36 (8), 937 (2002)
  • S. Pizzini, N. Butta, M. Acciary, M. Acciarri. Springer Proc. in Phys., 54, 178 (1991)
  • М.Г. Мильвидский. Полупроводниковые материалы в современной электронике (М., Наука, 1986)
  • E.R. Shaaban, N. Afify, A. El-Taher. J. Alloys Comp., 482, 400 (2009)
  • J. Luschitz, B. Siepchen, J. Schaffner, K. Lakus-Wollny, G. Haindl, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Sol. Films, 517, 2125 (2009)
  • H.R. Moutinho, F.S. Hasoon, F. Abulfotuh, L.L. Kazmerski. J. Vac. Sci. Technol. A 13 (6), 2877 (1995)
  • Jui-Hsiang Pei, C.M. Lin, Der-San Chuu. Chinese J. Phys., 36 (1), 44 (1998)
  • А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ЖТФ, 71 (4), 133 (2001)
  • Youn-Ok Choia, Nam-Hoon Kim, Ju-Sun Parka, Woo-Sun Leea. Mater. Sci. Eng. B, 171, 73 (2010)
  • Ю.Г. Ахроменко, С.Н. Бекеша, Г.А. Ильчук, И.В. Курило, С.П. Павлишин. Физ. электроника, 29, 51 (1984)
  • I.V. Kurilo, I.O. Rudyi, I.Ye. Lopatynskyi, I.S. Virt, P. Sagan, J. Zawislak, M. Kuzma. Phys. Chem. Sol. St., 5 (4), 715 (2004)
  • И.В. Курило, В.И. Кучма. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18 (4), 569 (1982)
  • С.А. Строителев. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников (Новосибирск, Наука, 1976)
  • С.А. Дворецкий, В.И. Бударных, А.К. Гутаковский, В.Ю. Карасев, Н.А. Киселев, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, С.И. Стенин. Докл. АН СССР, 304 (3), 604 (1989)
  • И.В. Потыкевич, И.В. Завалин, В.П. Клочков, А.И. Филлипова. Физ. электроника, 8, 45 (1974)
  • Л.С. Палатник, Б.Т. Бойко, В.К. Сорокин, В.Е. Виноградов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 7 (7), 1132 (1971)
  • F.A. Kroger, de Nobel. J. Electron., 1 (2), 190 (1955)
  • H.F. Matare. Defect electronics in semiconductors (Wiley-Interscience, N.Y., a.o. 1971)
  • W. Schroter, I. Kronewitz, U. Gnauert, F. Riedel, M. Seibt. Phys. Rev. B, 52 (13), 726 (1995)
  • И.В. Курило, И.М. Спитковский, А.Д. Шнейдер. Укр. физ. журн., 19 (4), 651 (1974)
  • И.В. Курило. Укр. физ. журн., 23 (4), 635 (1978)
  • И.В. Курило, В.П. Алёхин, С.И. Булычев. Физико-механические свойства теллуридов кадмия, ртути и их твердых растворов. Препринт АН СССР. Ин-т металлургии им. А.А. Байкова (М., 1982)
  • F. Buch, C.N. Ahlquist. J. Mater. Sci. Eng., 13 (2), 194 (1974)
  • E.Y. Gutmanas, N. Travitzky, V. Plitt, P. Haasen. Scripta Metal., 4, 293 (1979)
  • I.V. Kurilo, V.P. Alekhin, I.O. Rudyi, S.I. Bulychev, L.I. Osypyshin. Phys. Status Solidi A, 163 (1), 47 (1997)
  • Landolt-Bornstein, New Series. Vol. 17/b Semiconductors: Physics of II-VI and I-VII Compounds, ed. O. Madelung (Berlin, Springer, 1982)
  • D.G. Neerinck, T.J. Vink. Thin Sol. Films, 278 (1-2), 12 (1996)
  • D. Bhattacharyya, M.J. Capter. Thin Sol. Films, 288 (1-2), 176 (1996)
  • Е.А. Коленко. Технология лабораторного эксперимента. Справочник (СПб., Политехника, 1994).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.