"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кристаллизационная способность, оптические и электрические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge10(Se-Te)90 и Ge30(Se-Te)70
Грудинкин С.А.1, Бахарев В.И.1, Егоров В.М.1, Мелех Б.Т.1, Голубев В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Синтезированы халькогенидные стеклообразные полупроводники тройной системы Ge-Se-Te по разрезам Ge10(Se-Te)90 и Ge30(Se-Te)70. Исследованы кристаллизационная способность, спектры пропускания в ближней инфракрасной области спектра и температурная зависимость электропроводности полученных сплавов. Показано, что халькогенидные стеклообразные полупроводники разреза Ge10(Se-Te)90 обладают меньшей температурой размягчения и кристаллизации по сравнению с полупроводниками разреза Ge30(Se-Te)70. Зарегистрировано изменение на несколько порядков электропроводности образцов при фазовом переходе из стеклообразного в кристаллическое состояние. Найдены составы халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Se-Te, имеющие в области длин волн lambda~1.5 мкм коэффициент поглощения <1 см-1 и характеризующиеся термически индуцированным фазовым переходом стеклообразное--кристаллическое состояние.
  1. P. Sharma, S.C. Katyal. Physica B, 403, 3667 (2008)
  2. S.B. Bhanu Prashanth, S. Asokan. Sol. St. Commun., 147 (11), 452 (2008)
  3. J. Nishii, T. Yamashita, T. Yamagishi. J. Mater. Sci., 24 (12), 4293 (1989)
  4. B.J. Eggleton, B. Luther-Davies, K. Richardson. Nat. Photonics, 5 (3), 141 (2011)
  5. J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 256 (1), 6 (1999)
  6. D. Sarrach, J.P. De Neufville. J. Non-Cryst. Sol., 22 (2), 245 (1976)
  7. А.В. Пазин, А.А. Образцов, З.У. Борисова. Неорг. матер., 8 (2), 242 (1972)
  8. З.Г. Маковская, Э.Г. Жуков. Неорг. матер., 16 (2), 251 (1980)
  9. L.A. Kulakova, V.Kh. Kudoyarova, B.T. Melekh, V.I. Bakharev. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1555 (2006)
  10. З.У. Борисова. Халькогенидные полупроводниковые стекла (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1983) с. 7
  11. P. Sharma, S.C. Katyal. Thin Sol. Films, 517 (13), 3813 (2009)
  12. Дж. Коннелл. Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) гл. 4, с. 96
  13. S.A. Fayek. Mater. Chem. Phys., 62 (2), 95 (2000)
  14. J.C. Phillips, M.F. Thorpe. Sol. St. Commun., 53 (8), 699 (1985)
  15. S.B. Bhanu Prashanth, S. Asokan. J. Non-Cryst. Sol., 355 (22), 1227 (2009)
  16. J.Z. Liu, P.C. Taylor. Sol. St. Commun., 70 (1), 81 (1989)
  17. К.Д. Цэндин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996) гл. 2, с. 35
  18. G.A.M. Amin, A.F. Maged. Mater. Chem. Phys., 97 (2), 420 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.