"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности и природа полосы фотолюминесценции 890 нм, обнаруженной после низкотемпературного отжига пленок SiOx
Власенко Н.А.1, Сопинский Н.В.1, Гуле Е.Г.1, Манойлов Э.Г.1, Олексенко П.Ф.1, Велигура Л.И.1, Мухльо М.А.1
1Институт физики полупроводников им В.Е. Лашкарёва Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

В спектре фотолюминесценции пленок SiOx (x~ 1.3), нанесенных термическим испарением SiO и отожженных на воздухе при 650-1150oC, обнаружена полоса с максимумом при 890 нм. Эта полоса появляется после низкотемпературного (~650oC) отжига и имеет следующие особенности: 1) положение ее максимума не изменяется при повышении температуры отжига до 1150oC, а интенсивность при этом возрастает в ~100 раз; 2) влияние на ее интенсивность атмосферы отжига (воздух, вакуум), длины волны и плотности мощности возбуждающего света иное, чем для наблюдаемых известных полос в области 600-650 и 700-800 нм; 3) фотолюминесценция затухает вначале быстро, а затем значительно медленнее с соответствующим временем жизни ~9 и ~70 мкс. Выявленные особенности не согласуются с интерпретацией наблюдавшейся до сих пор фотолюминесценции пленок SiOx, а именно: рекомбинационные переходы "зона-дефекты матрицы" и между хвостами зонных состояний, фотолюминесценция нанокластеров Si, внутриионные переходы в примесных редкоземельных ионах. Поэтому рассматривается возможность объяснения полосы 890 нм переходами в локальных центрах с двух- и(или) трех-координированными по кислороду ионами Si, т. е. так, как объясняют люминесценцию стекол и пленок SiO2 с небольшим дефицитом кислорода.
  1. Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda. Phys. Rev. B, 48(7), 4883 (1993)
  2. M.L. Brongersma, A. Polman, K.S. Min, E. Boer, T. Tambo, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 72, 2577 (1998)
  3. F. Iacona, G. Franzo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87, 1295 (2000)
  4. U. Kahler, H. Hofmeister. Appl. Phys., 74, 13 (2002)
  5. M. Molinary, H. Hafmeister. Appl. Phys. Lett., 82, 3877 (2003)
  6. J. Heitmann, F. Muller, M. Zacharias, U. Gosele. Adv. Mater., 17, 795 (2005)
  7. G. Wora Adeola, H. Rinnert, P. Miska, M. Vergnat. J. Appl. Phys., 102, 053515 (2007)
  8. I.N. Yassievich, A.S. Moskalenko. Mater. Sci. Eng., 105, 192 (2003)
  9. O. Savchyn, F.R. Ruhge, P.G. Kik. Phys. Rev. B, 76, 195419 (2007)
  10. Б.Н. Романюк, В.П. Мельник, В.Г. Попов, И.М. Хацевич, А.С. Оберемок. ФТП, 44(4), 533 (2010)
  11. Н.А. Власенко, П.Ф. Олексеенко, З.Л. Денисов, Н.В. Сопинский, Л.И. Велигура, Е.Г. Гуле, О.С. Литвин, М.А. Мухльо. ФТП, 45(5), 596 (2011)
  12. A. Barranco, F. Yubero, J.P. Espinos, P. Groening, A.R. Gonzales-Elipe. J. Appl, Phys., 97, 113714 (2005)
  13. R. Tohmon, Y. Shimogauchi, H. Mizuno, K. Nagasawa, Y. Hama. Phys. Rev. Lett., 62, 1388 (1989)
  14. В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.В. Шапошников, Ю.Н. Мороков. ФТП, 35(9), 1041 (2001)
  15. L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, T. Gebel, M. Helm, W. Skorupa. Nuclear Instruments and Methods in Phys. Research B 188, 28 (2002)
  16. M.M.G. Alemany, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 73, 235211 (2006)
  17. Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 45, 76 (2010)
  18. Y. Kanemitsu, Y. Fukunishi. Thin Sol. Films, 393 (1--2), 103 (2001)
  19. M. Fujii, M. Yoshida, Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 71, 1198 (1997)
  20. Y. Kanemitsu, Y. Fukunishi, T. Kushida. Appl. Phys. Lett., 77(2), 1198 (1998)
  21. A. Yanotta, M. Schmidt, R. Janssen, Ch. Buchal, M. Stutzmann, J. Non-Cryst. Sol., 299-- 302, 688 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.