"Физика и техника полупроводников"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2019
- 1 2 3
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Компенсация проводимости p-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ

Лебедев А.А.¹, Козловский В.В.², Белов С.В.¹, Богданова Е.В.¹, Оганесян Г.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 2 марта 2011 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование скорости удаления носителей заряда (V_D) в p-6H-SiC при его облучении протонами с энергией 8 МэВ. Образцы p-6H-SiC были получены методом сублимации в вакууме. Величина V_D определялась как на основе анализа вольт-фарадных характеристик, так и на основе данных измерения эффекта Холла. Было обнаружено, что полная компенсация образцов с исходным значением N_a-N_d~1.5·10¹⁸ см^-3 происходила при дозе облучения ~1.1·10¹⁶ см^-2. Скорость удаления носителей при этом составила ~130 см^-1.

N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62m 165 (1999)

Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 12, 2918 (1970)

A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova, P.L. Abramov, S.P. Lebedev, D.K. Nel'son, G.A. Oganesyan, A.S. Tregubova, R. Yakimova. Semicond. Sci. Technol., 23 075004S (2008)

Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)

Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantxev and M.S. Shur, (John Wiley \& Sons, Ins., 2001)

H. Matsuura, K. Aso, S. Kagamihara, H. Iwata, T. Ishida, K. Nishikawa. Appl. Phys. Lett., 83, 4981 (2003)

V.V. Kozlovski, E.V. Bogdanova, V.V. Emtsev, K.V. Emtsev, A.A. Lebedev, V.N. Lomasov. Mater. Sci. Forum, 483--485, 383 (2005)

В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42, 243 (2008)

В.В. Емцев, А.М. Иванов, В.В. Козловский, А.А. Лебедев, Г.А. Оганесян, Н.Б. Строкан. ФТП, 44, 706 (2010)

A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)

N. Iwamoto, S. Onoda, S. Hishiki, T. Ohshima, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano. Mater. Sci. Forum, 600--603, 1043 (2009)

M. Mikelsen, U. Grossner, J.H. Bleka, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, R. Yakimova, A. Henry, E. Janzen, A.A. Lebedev. Mater. Sci. Forum, 600--603, 425 (2009)

В.Т. Громов. Введение в радиационную физику твердого тела (Снежинск, Изд. ВНИИТФ, 2007)

H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battistig. Phys. Rev. B, 62, 10 126 (2000)

А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумаров, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоатомиздат, 1985)

Р.Ф. Коноплева, В.И. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием (М., Атомиздат, 1975)

Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)

А.М. Иванов, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан, Б. Шмидт. ФТП, 29, 543 (1995)

J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Ranges of Ions in Solids (N.Y., Pergamon Press, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель