"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на карбиде кремния
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Получено аналитическое выражение для плотности состояний монослоя графена, взаимодействующего с поверхностью карбида кремния (эпитаксиальный графен). Плотность состояний карбида кремния описывается в рамках модели Халдейна--Андерсона. Показано, что в результате взаимодействия графена с подложкой в его плотности состояний возникает узкая щель ~0.01-0.06 эВ. Приведены оценки заряда атомов графена: показано, что на один атом графена из подложки переходит заряд ~10-3-10-2e.
  1. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Gleim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109 (2008)
  2. D.V. Badami. Carbon, 3, 53 (1965)
  3. A.J. Van Bommel. Surf. Sci., 48, 463 (1975)
  4. A. Charrier, A. Coati, T. Argunova, F. Thibaudau, Y. Garreau, R. Pinchaux, I. Forbeaux, J.-M. Debever, M. Sauvage-Simkin, J.-M. Themlin. J. Appl. Phys., 92, 2479 (2002)
  5. C. Berger, Z. Song, T. Li, A.Y. Ogbazghi, R. Feng, Z. Dai, A.N. Marchenkov, E.H. Conrad, P.N. First, W.A. de Heer. J. Phys. Chem. B, 108, 19 912 (2004)
  6. E. Rollings, G.-H. Gweon, S.Y. Zhou, B.S. Mun, J.L. McChesney, B.S. Hussain, A.V. Fedorov, P.N. First, W.A. de Heer, A. Lanzara. arXiv: cond-mat/0512226, v. 2, 2 Oct., 2006
  7. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Н.Ю. Смирнова. ФТТ, 51 (3), 452 (2009)
  8. C. Riedel, C. Coletri, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke, U. Starke. Phys. Rev. Lett., 103, 246 804 (2009)
  9. J. Soltys. J. Piechota, M. Lopuszynski, S. Krukowski. arXiv: 1002.4717
  10. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 36 (18), 55 (2010)
  11. W. Chen, S. Chen, D. Chen Qj, X.Y. Gao, A.T.S. Wee. J. Amer. Chem. Soc., 129 (34), 10422 (2007)
  12. H. Pinto, R. Jones, J.P. Gross, P.R. Briddon. J. Phys.: Condens. Matter., 21, 402001 (2009)
  13. C. Coleti, C. Riedel, D.S. Lee, B. Krauss, L. Patthey, K. von Klitzing, J.H. Smet, U. Starke. Phys. Rev. B, 81, 235 401 (2010)
  14. С.Ю. Давыдов. ФТП, 45(5), 629 (2011)
  15. P.W. Anderson. Phys. Rev., 124 (1), 41 (1961)
  16. D.M. Newns. Phys. Rev., 178 (3), 1123 (1969)
  17. F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B, 13 (6), 2553 (1976)
  18. С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ, 49(8), 1508 (2007)
  19. С.Ю. Давыдов. ФТП, 31 (10), 1236 (1997)
  20. С.Ю. Давыдов. ФТП, 41 (6), 718 (2007)
  21. A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076 802 (2007)
  22. W. Chen, S. Chen, D. Chen Qj, X.Y. Gao, A.T.S. Wee. J. Amer. Chem. Soc., 129 (34), 10 422 (2007)
  23. I. Giertz, C. Riedl, U. Starke, C.R. Ast, K. Kern. Nano Lett., 8 (12), 4603 (2008)
  24. Y.-J. Yu, Y. Zhao, S. Ryu, L.E. Brus, K.S. Kin, P. Kim. Nano Lett., 9 (10), 3430 (2009)
  25. N. Park, B.-K. Kim, J.-O. Lee, J.-J. Kim. Appl. Phys. Lett., 95, 243 105 (2009)
  26. С.Ю. Давыдов, Г.И, Сабирова. ФТТ. 53 (3), 608 (2011)
  27. С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. Письма ЖТФ, 36 (24), 77 (2010)
  28. S.Y. Zhou, G.-H. Gweon, A.V. Fedorov, P.N. First, W.A. de Heer, D.-H. Lee, F. Guinea, A.H. Castro Neto, A. Lanzara Nature Mater., 6, 770 (2007)
  29. L. Vitalis, C. Riedl, R. Ohmann, I. Brihuega, U. Starake, K. Kern. Surf. Sci., 602, L127 (2008)
  30. T. Seyller, A. Bostwick, K.V. Emtsev, K. Horn, L. Ley, J.L. McChesney, T. Ohta, J.D. Riley, E. Rotenberg, F. Speck. Phys. Status Solidi B 245, 1436 (2008).
  31. O. Pankratov, S. Hendel, M. Bockstedte. arXiv: 1009.2185
  32. S. Kopylov, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin, V.I. Val'ko. Appl. Phys. Lett., 97, 112 109 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.