"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре
Соболев М.М.1, Гаджиев И.М.1, Бакшаев И.О.1, Неведомский В.Н.1, Буяло М.С.1, Задиранов Ю.М.1, Портной Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Мы сообщаем о результатах экспериментальных исследований при комнатной температуре спектров электролюминесценции и поглощения 10-слойной сверхрешетки квантовых точек InAs/GaAs, встроенной в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины. Толщина прослойки GaAs между слоями КТ InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была около 6 нм. В отличие от туннельно-связанных КТ, сверхрешетки КТ демонстрируют усиление оптической поляризации интенсивности излучения и волноводного поглощения ТМ-моды по сравнению с TE-модой. Было установлено, что изменения мультимодального периодического спектра дифференциального поглощения структуры со сверхрешеткой квантовых точек находятся в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре электрического поля. Наблюдаемое поведение спектров дифференциального поглощения является демонстрацией эффекта Ваннье--Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье--Штарка.
  • N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Usitnov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
  • B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000)
  • F. Troiani, U. Hohenester, E. Molinari. Phys. Rev. B, 65, 161 301 (2002)
  • W. Sheng, J.-P. Leburton. Phys. Rev. Lett., 86 (16), 167 401 (2002)
  • M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, 451 (2001)
  • G. Ortner, I. Yugova, G. Baldassarri, Hoger von Hogersthal, A. Larionov, H. Kurtze, D.R. Yakovlev, M. Bayer, S. Fafard, Z. Wasilewski, P. Hawrylak, Y.B. Lyanda-Geller, T.L. Reinecke, A. Babinski, M. Potemski, V.B. Timofeev, A. Forchel. Phys. Rev. B, 71, 125 335 (2005)
  • М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
  • М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 40, 84 (2006)
  • V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, J.W. Tomm, P. Werner, U. Gosele. Nanoscale Res. Lett., 1 (2), 137 (2006)
  • M.M. Sobolev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh. Physica B: Condens. Matter, 401--402, 576 (2007)
  • М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Н.Д. Захаров. ФТП, 42, 311 (2008)
  • М.М. Соболев, А.П. Васильев, В.Н. Неведомский. ФТП, 44, 790 (2010)
  • М.М. Соболев, Е.Л. Портной, И.М. Гаджиев, И.М. Бакшаев, В.С. Михрин, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов. ФТП, 43, 512 (2009)
  • V.V. Nikolaev, N.S. Averkiev, M.M. Sobolev, I.M. Gadzhiyev, I.O. Bakshaev, M.S. Buyalo, E.L. Portnoi. Phys. Rev. B, 80, 205 304 (2009)
  • A. Gubenko, D. Livshits, I. Krestnikov, S. Mikhrin, A. Kozhukhov, A. Kovsh, N. Ledentsov, A. Zhukov, E. Portnoi. Electron. Lett., 41, 1124 (2005)
  • Е.Л. Портной, И.М. Гаджиев, А.Е. Губенко, М.М. Соболев, А.Р. Ковш, И.О. Бакшаев. Письма ЖТФ, 33 (16), 28 (2007)
  • A.M. Adawi, E.A. Zibik, L.R. Wilson, A. Lema\^itre, W.D. Sheng, J.W. Cockburn, M.S. Skilnick, J.P. Leburton, M. Hopkinson, G. Hill, S.L. Liew, A.G. Cullis. Phys. Status Solidi B, 238, 341 (2003)
  • T.T. Chen, Y.F. Chen, J.S. Wang, Y.S. Huang, R.S. Hsiao, J.F. Chen, C.M. Lai, J.Y. Chi. Semicond. Sci. Technol., 22, 1077 (2007)
  • Tomoya Inoue, Masaki Asada, Nami Yasuoka, Osamu Kojima, Takashi Kina, Osamu Wada. J. Appl. Phys., 96, 211 906 (2010)
  • Toshio Saito, Hiroji Ebe, Yasuhiko Arakawa, Takaaki Kakitsuka, Mitsuru Sugawara. Phys. Rev. B, 77, 195 318 (2008)
  • E.A. Avrutin, I.E. Chebunina, I.A. Eliachevitch, S.A. Gurevich, M.E. Portnoi, G.E. Stengel. Semicond. Sci. Technol., 8, 80 (1993)
  • V.V. Nikolaev, N.S. Averkiev. Appl. Phys. Lett., 95, 263 107 (2009)
  • F. Agullo-Rueda, E.E. Mendez, J.M. Hong. Phys. Rev. B, 40, 1357 (1989-I).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.