"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/p-PbxSn1-xS: создание и свойства
Гременок В.Ф.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Башкиров С.А.1, Иванов В.А.1
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Методом "горячей стенки" при температурах подложки 210-330oC получены тонкие пленки PbxSn1-xS. Исследованы микроструктура, элементный состав, морфология и электрические характеристики пленок. На основе полученных пленок впервые созданы фоточувствительные барьеры Шоттки In/p-PbxSn1-xS. Исследованы спектры фоточувствительности этих структур, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения тонких поликристаллических пленок PbxSn1-xS в фотопреобразователях солнечного излучения.
  • D. Bonnet, P. Meyers. J. Mater. Res., 13, 2740 (1998)
  • M.Y. Versavel, J.A. Haber. Thin Sol. Films 515, 5767 (2007)
  • M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 18, 346 (2010)
  • B.A. Anderson. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 8, 61 (2000)
  • K. Matsune, H. Oda, T. Toyama, H. Okamoto, Y. Kudriavysevand, R. Asomoza. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 18 (2006)
  • H. Dittrich, D.J. Vaughan, R.A.D. Pattrick, S. Graeser, M. Lux-Steiner, R. Kunst, D. Lincot (eds). Proc 13th Eur. Photovoltaic Solar Emergy Conf. (Nice, France, October 23-27, 1995) p. 1299
  • K.N. Reddy, K. Ramesh, R. Ganesan, R.K.T. Reddy, K.R. Gunasekhar, E.S.R. Gopal. Appl. Phys. A, 83, 133 (2006)
  • A. Luque, A. Marti. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (John Wiley and Sons Ltd., Chichester, West Sussex, England, 2003)
  • J.J. Loferski. J. Appl. Phys., 27, 777 (1956)
  • K.T.R. Reddy, N.K. Reddy, R.W. Miles. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 3041 (2006)
  • W. Albers, C. Haas, H.J. Vink, J.D. Wasscher. J. Appl. Phys., 32, 2220 (1961)
  • A. Rau. J. Phys. Chem. Sol., 27, 761 (1966)
  • H.A. Lichanot, S. Gromb. J. Chem. Phys. et Phys.-Chem. Biol., 67, 1239 (1970)
  • M. Devika, N. Koteeswara Reddy, D. Sreekantha Reddy, S. Venkatramana Reddy, K. Ramesh, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar, V. Ganesan, Y.B. Hahn. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 306 003 (2007)
  • A. Ghazali, Z. Zainal, M.Z. Hussein, A. Kassim. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 55, 237 (1998)
  • B. Subramanian, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 79, 57 (2003)
  • M. Sugiyama, K. Miyauchi, T. Minemura, K. Ohtsuka, K.I. Noguchi, H.I. Nakanishi. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 4494 (2008)
  • E.P. Zaretskaya, V.F. Gremenok, V.A. Ivanov, S.A. Bashkirov, V.B. Zalesski, B.I. Kovalevski. Proc. EPSEC-24, Hamburg, Germany, 21-25 September (2009) p. 262
  • A. Ortiz, J.C. Alonso, M. Garcia, J. Toriz. Semicond. Sci. Technol., 11, 243 (1996)
  • A. Tanuvsevski, D. Poelman. Sol. Energy Mater. SWolar Cells, 80, 297 (2003)
  • N.K. Reddy, K.T.R. Reddy. Thin Sol. Films, 325, 4 (1998)
  • M. Devika, K.T.R. Reddy, N.K. Reddy, K. Ramesh, R. Ganesan, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar. J. Appl. Phys., 100, 023 518 (2006)
  • M. Devika, N.K. Reddy, K. Ramesh, K.R. Gunasekhar, E.S.R. Gopal, K.T.R. Reddy. Semicond. Sci. Technol., 21, 1125 (2006)
  • M. Devika, N.K. Reddy, D.S. Reddy, S.V. Reddy, K. Ramesh, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar, V. Ganesan, Y.B. Hahn. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 306 003 (2007)
  • M. Devika, N.K. Reddy, K. Ramesh, V. Ganesan, E.S.R. Gopal, K.T.R. Reddy. Appl. Surf. Sci., 253, 1673 (2006)
  • A. Lopez-Otero. Thin Sol. Films, 49, 3 (1978)
  • D.M. Unuchak, K. Bente, G. Kloess, W. Schmitz, V.F. Gremenok, V.A. Ivanov, V. Ukhov. Phys. Status Solidi C, 6, 1191 (2009)
  • D.M. Unuchak, K. Bente, V.A. Ivanov, V.F. Gremenok. Cryst. Res. Technol., 1--4, / DOI 10.1002/crat.201000440 (2010)
  • K. Bente, D.M. Unuchak, V.F. Gremenok, V.A. Ivanov, S.A. Bashkirov. Proc. EPSEC-25, Valencia, Spain, 6-10 September (2010)
  • V. Gremenok, D. Unuchak, V. Lazenka, K. Bente, V. Ivanov, S. Bashkirov, I. Tashlykov, A. Turovets. Proc. ICTMC17, Baku, Azerbaijan, 27-30 September (2010) p. 24
  • K. Hayashi, A. Kitakaze, A. Sugaki. Mineral. Magazine, 65, 645 (2001)
  • И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
  • A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
  • А.А. Вайполин, Ф.М. Гашимзаде, Н.А. Горюнова, Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследов, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР. Сер. физ., 38, 1085 (1964)
  • V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', M. Serginov. ФТП, 26, 506 (1992)
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (N. Y., Willey Interscience Publ., 1981).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.