"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик
Голубок А.О.1,2, Самсоненко Ю.Б.1,3,4, Мухин И.С.2,3, Буравлев А.Д.3,4, Цырлин Г.Э.1,3,4
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Предложен метод формирования одиночных полупроводниковых GaAs-нановискеров и их ансамблей на вершине химически заточенного вольфрамового острия в установке молекулярно-пучковой эпитаксии. Для выделения одиночного нановискера использовалась техника сфокусированного ионного пучка. Электронные свойства одиночных нановискеров исследовались с помощью упругой туннельной спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуума. Измеренные вольт-амперные характеристики позволили оценить ширину запрещенной зоны GaAs-вискеров и степень легирования структуры.
  • N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg. MRS Symposia Proc., 421, 133 (1996)
  • А.Е. Жуков, А.Р. Ковш. Квант. электрон., 38 (5), 409 (2008)
  • E. Kapon. Semiconductor Lasers (San Diego, Academic Press, 1999)
  • Y. Li, J. Xiang, F. Quang, S. Gradecak, Y. Wu, H. Yan, D.A. Blom, C.M. Lieber. NanoLett., 6, 1468 (2006)
  • V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71 (105), 325 (2005)
  • P. Poncharal, Z.L. Wang, D. Ugarte, W.A. de Heer. Science, 283, 1513 (1999)
  • А.М. Кривцов, Н.Ф. Морозов. ФТТ, 44 (12), 2158 (2002)
  • X. Duan, Yu Huang, Yu Cui, J. Wang, Ch.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
  • K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, K. Ogawa. Appl. Phys. Lett., 60, 745 (1991)
  • П.А. Дементьев, М.С. Дунаевский, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.Н. Титков. ФТП, 44 (5), 636 (2010)
  • A.O. Golubok, D.N. Davydov, S.A. Rykov. Ultramicroscopy, 42--44, 878 (1992)
  • Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
  • Э. Бурштейн, С. Лундквист. Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • С.В. Вонсовский. Современная естественно-научная картина мира (РХД, 2006)
  • В. Гуртов. Твердотельная электроника (Техносфера, 2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.