Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Четверные твердые растворы (FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x и фоточувствительные структуры на их основе
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.
Методом направленной кристаллизации расплава (FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x выращены гомогенные кристаллы аналогичного атомного состава во всем интервале показателя состава 1>= x>=0. Установлено, что кристаллы непрерывного ряда четверных твердых растворов в диапазоне x=0-1 кристаллизуются в структуре шпинели, причем параметр элементарной ячейки a обнаружил линейную зависимость от значения x. Установлена возможность получения фоточувствительных структур In(Al)/(FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x. Получены спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования впервые созданных структур In(Al)/(FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x при комнатной температуре. Из анализа этих спектров определены энергии прямых и непрямых межзонных переходов для кристаллов твердых растворов (FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x и обсуждается зависимость этих параметров от показателя состава позиционно-разупорядоченных фаз указанных твердых растворов. Сделан вывод о возможностях использования кристаллов растворов (FeIn2S4)x(MnIn2S4)1-x в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения.
- Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М. Сов. радио, 1968)
- Ж.И. Алфёров, Б.В. Царенков. ФТП, 19, 2113 (1985)
- В.И. Стафеев. ФТП, 44, 577 (2010)
- I.M. Tiginyanu, V.V. Ursaki, F.J. Manjon, V.E. Tezlevan. J. Phys. Chem. Sol., 64, 1603 (2003)
- Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 38, 164 (2004)
- А.В. Ведяев. УФН, 172, 1458 (2002)
- E. Agostinelli, D. Fiorani, A.M. Testa. Fundamental and Applicative Aspects of Disordered Magnetism (World Scientific Publ. Co, Singapore 30, 1988)
- V. Sagredo, M.C. Moron, L. Betancouri, G.E. Delgado. J. Magn. Mater., 312, 294 (2007)
- И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 44, 39 (2010)
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.А. Осипова, И.В. Боднарь. ФТП, 44, 48 (2010)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
- H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
