Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Глубокие электронные состояния в нелегированном поликристаллическом CdTe, отожженном в жидком кадмии

Боброва Е.А.¹, Клевков Ю.В.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 22 декабря 2010 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) определен набор глубоких электронных состояний после отжига в жидком кадмии нелегированного поликристалла n-CdTe, выращенного путем химического синтеза из паровой фазы в сильно неравновесных условиях. После отжига концентрация электронов возросла от ~10⁸ до 10¹⁵ см^-3. Доминирующими в спектре DLTS были электронные ловушки с глубокими уровнями E₁=0.84±0.03 эВ и E₂=0.71±0.02 эВ с суммарной концентрацией ~10¹⁴ см^-3. Обсуждается роль границ зерен и собственных точечных дефектов в формировании глубоких центров и их влияние на величину проводимости в результате отжига. Рассматривается связь уровня E₁ с комплексами собственных точечных дефектов, а уровня E₂ с точечным дефектом Cd_i.

H. Elhadidy, J. Franc, P. Moravec, P. Hoschl, M. Fiederle. Semicond. Sci. Technol., 22, 537 (2007)
M.A. Berding. Appl. Phys. Lett., 74 (4), 552 (1999); Phys. Rev. B, 60, 8943 (1999)
N. Krsmanovic, K.G. Lynn, M.H. Weber, R. Tjossem, Th. Gessamen, Cs. Szeles, E.E. Eissler, J.P. Flint, H.L. Glass. Phys. Rerv. B, 62 (24), R16279 (2000)
P.J. Sellin. Nucl. Instrum. Meth. A, 563, 1 (2006)
N. Baier, A. Brambilla, G. Feuillet, S. Renet. Nucl. Instrum. Meth. A, 563, 155 (2006)
R. Sorgenfrei, D. Greiffenberg, K.H. Bachem, L. Kirste, A. Zwerger, M. Fiederle. J. Cryst. Growth, 310, 2062 (2008)
Q. Jiang, D.P. Haliday, B.K. Tanner, A.W. Brinkman, B.J. Cantwell, J.T. Mullins, A. Basu. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 012 004 (2009)
R. Triboulet, A. Aoudia, A. Lusson. J. Electron. Mater., 24 (9), 1061 (1995)
P. Rudolph. Cryst. Res. Technol., 38 (7--8), 542 (2003)
J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B, 41 (17), 12 035 (1990)
G.M. Khattak, C.G. Scott. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 8619 (1991)
S.H. Song, J.F. Wang, G.M. Lavel, L. He, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 252, 102 (2003)
G. Zoppi, K. Durose, S.J.C. Irvine, V. Barrioz. Semicond. Sci. Technol., 21, 763 (2006)
V. Consonni, G. Feuillet, J.P. Barnes, F. Donatini. Phys. Rev. B, 80, 165 207 (2009)
В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков. ФТП, 41 (2), 140 (2007)
V. Bagaev, V. Krivobok, Y. Klevkov, A. Shepel, E. Onishchenko, V. Martovitsky. Phys. Status Solidi C, 7, 1470 (2010)
Е.А. Боброва, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, А.Ф. Плотников. ФТП, 36, 1426 (2002)
S.A. Medvedieff, Y.V. Klevkov. Brevet (France) N 2782932, 24.11.2000
A. Broniatowski, A. Blosse, P.C. Srivastsva, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 54 (6), 2907 (1983)
K.H. Herrmann, A.E. Rakhshani, L. Alshamary. Sol. St. Electron., 43, 1251 (1999)
M. Dharmadasa, C.J. Blomfield, C.G. Scott, R. Coratger, F. Ajustron, J. Beauvillain. Sol. St. Electron., 42 (4), 595 (1998)
P. Diba, E. Placzek-Popko, E. Zielony, Z. Gumienny, J. Szatkowski. Acta Phys. Polon. A, 116, 944 (2009)
L. Stolt, K. Bohlin. Sol. St. Electron., 28 (12), 1215 (1985)
F.D. Auret, M. Nel. J. Appl. Phys., 61 (7), 2546 (1987)
K. Yamasaki, M. Yoshida, T. Sugano. Jpn. J. Appl. Phys., 18 (1), 113 (1979)
А. Черниговский. Общедоступная (free ware) программа расчета уровня Ферми. http://t-lambda.chat.ru/download.html).
H. Zhang, Y. Aoyagi, S. Iwai, S. Namba. Appl. Phys. A, 44, 273 (1987)
J.H. Greenberg. J. Cryst. Growth, 197, 406 (1999)
L. Kuchar, J. Drapala, J. Lunacek. J. Cryst. Growth, 161, 94 (1996)
Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 66, 155 211 (2002)
R.T. Collins, T.F. Kuech, T.C. McGill. J. Vac. Sci. Technol., 21 (1), 191 (1982)
L.C. Isett, Pranab K. Raychudhuri. J. Appl. Phys., 55 (10), 3605 (1984)
Yanfa Yan, K.M. Jones, C.S. Jiang, X.Z. Wu, R. Noufi, M.M. Al-Jassim. Physca B, 401--402, 25 (2007)
Mao-Hua Du, Hiroyuki Takenaka, David J. Singh. Phys. Rev. B, 77, 094 122 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель