Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 8 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Исследованы спектры спонтанного излучения оптических потерь и усиления в лазерной гетероструктуре с квантово-размерной активной областью InGaAs при различных уровнях оптической и электрической накачки. Показано, что накопление носителей заряда в активной области ведет к аннигиляции длинноволнового краевого пика в спектре поглощения. Установлено, что протекающий фототок препятствует накоплению фотогенерированных носителей заряда, в результате спектр поглощения сохраняет свою форму независимо от уровня оптической накачки. Продемонстрировано, что эффекты многочастичного взаимодействия носителей заряда приводят к нетемпературному сужению ширины запрещенной зоны квантово-размерной активной области InGaAs на величину до 30 мэВ и размытию длинноволнового края спектра усиления. В результате для лазерных диодов полосковой конструкции можно найти такой спектральный диапазон, в котором усиление в области полоскового контакта положительно, а потери в пассивных областях близки к нулю.
- P. Blood, S. Colak, A.I. Kucharka. IEEE J. Quant. Electron., 24, 1593 (1988)
- S. Park, J.I. Shim, K. Kudo, M. Asada. J. Appl. Phys., 72 (1), 279 (1992)
- D.A. Kleinman, R.C. Miller. Phys. Rev. B, 32, 2266 (1985)
- A. Tomita, A. Suzuki. IEEE J. Quant. Electron., QE-23, 1155 (1987)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N.Y., John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1987) т. 1
- P. Blood, A.I. Kucharska, J.P. Jacobs. J. Appl. Phys., 70, 1144 (1991)
- D.S. Chemla, D.A.B. Miller. J. Opt. Soc. Amer. B, 2, 1155 (1985)
- J.P. Reithmaier, R. Hoger, H. Riechert. Phys. Rev. B, 43, 4933 (1991)
- G. Livescu, D.A.B. Miller, D.S. Chemla, M. Ramaswamy, T.Y. Chang, N. Sauer, A.C. Gossard, J.H. English. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 1677 (1988)
- J. Hader, J.V. Moloney, S.W. Koch. IEEE J. Quant. Electron., QE-35, 1878 (1999)
- J. Stohs, D.J. Bossert, D.J. Gallant, S.R.J. Brueck. IEEE J. Quant. Electron., QE-37, 1449 (2001)
- Н.А. Пихтин, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, В.Б. Халфин, Н.В. Шувалова, Ю.В. Ильин, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 23, 10 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
