"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO2: метод создания и свойства
Тысченко И.Е.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Исследованы электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе с имплантированным ионами азота захороненным слоем SiO2 в зависимости от дозы и энергии ионов N+. Показано, что имплантация ионов азота дозами >3·1015 см-2 с энергией 40 кэВ приводит к уменьшению фиксированного положительного заряда в окисле и уменьшению плотности поверхностных состояний в 2 раза. Усиление эффекта может быть достигнуто путем снижения энергии ионов азота. Полученные результаты объясняются взаимодействием атомов азота с избыточными атомами кремния вблизи границы раздела Si/SiO2 и удалением связей Si-Si, являющихся ловушками положительных зарядов, а также насыщением оборванных связей на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе.
  • M.V. Fischetti. J. Appl. Phys., 57, 2860 (1985)
  • В.А. Гриценко. УФН, 178, 727 (2008)
  • M.Y. Hao, W.M. Chen, K. Lai, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 66, 1126 (1995)
  • S.B. Kang, S.O. Kim, J.-S. Byun, H.J. Kim. Appl. Phys. Lett., 65, 2448 (1994)
  • E.C. Carr, R.A. Buhrman. Appl. Phys. Lett., 63, 54 (1993)
  • Z.Q. Yao, H.B. Harrison, S. Dimitrijev, D. Sweatman. Appl. Phys. Lett., 64, 3584 (1994)
  • W.B. Yi, E.X. Zhang, M. Chen, N. Li, G.Q. Zhang, Z.L. Liu, X. Wang. Semicond. Sci. Technol., 19, 571 (2004)
  • M.L. Green, D. Brasen, K.W. Evans-Lutterodt, L.C. Feldman, K. Krish, W. Lennard, H.-T. Tang, L. Manhanda, M.-T. Tang. Appl. Phys. Lett., 65, 849 (1994)
  • S.K. Dixit, S. Dhar, J. Rozen, S. Wang, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, J.R. Williams, L.C. Feldman. IEEE Trans. Nucl. Sci., 53, 3687 (2006)
  • C.W. Perkins, K.G. Aubuchon, H.G. Dill. IEEE Trans. Nucl. Sci., S- 15, 176 (1968)
  • D. Neamen, W. Sheold, B. Buchanau. IEEE Trans. Nucl. Sci., S- 22, 2203 (1975)
  • P.L.F. Hemment. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 33, 41 (1984)
  • K.J. Reeson. Nucl. Instrum. Meth. B, 19/20, 269 (1987)
  • W. Skorupa, K. Wollschlager. Nucl. Instrum. Meth. B, 32, 440 (1988)
  • K.J. Reeson, P.L.F. Hemment, C.D. Meekison, C.D. Marsh, G.R. Booker, R.J. Chater, J.A. Kilner, J. Davis. Nucl. Instrum. Meth. B, 32, 427 (1988)
  • A.B. Danilin, K.A. Drakin, V.V. Kukin, A.A. Malinin, V.N. Mordkovich, A.F. Petrov, V.V. Saraykin, O.I. Vyletalina. Nucl. Instrum. Meth. B, 58, 191 (1991)
  • E. Zhang, W. Yi, J. Chen, Zh. Zhang, X. Wang. Smart Mater. Struct., 14, N 42 (2005)
  • H.-S. Chen, S.S. Li. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 1740 (1992)
  • S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical characterization of silicon-on-insulator materials and devices (Kluver Academic Publishers, Boston--Dordrecht--London, 1995)
  • E.N. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., Wiley, 1982)
  • W.A. Hill, C.C. Coleman. Sol. St. Electron., 23, 987 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.