"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины
Авакянц Л.П.1, Боков П.Ю.1, Глазырин Е.В.2, Казаков И.П.2, Червяков А.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Методом спектроскопии фотоотражения исследован спектр электронно-дырочных состояний в квантовой яме GaAs/In0.5Ga0.5As переменной ширины от 1.1 до 3.6 нм. Произведен расчет энергий уровней размерного квантования электронов и дырок с учетом деформационно-индуцированных изменений зонной структуры квантовой ямы. Показано, что наилучшее совпадение экспериментальных данных с результатами расчета достигается при отношении разрывов зон проводимости и валентной на гетеропереходе Q=Delta Ec/Delta Ev=0.62/0.38. Обнаружен сигнал фотоотражения в области тени модулирующего излучения на расстояниях до 6 мм между пятнами зондирующего и модулирующего излучений.
  1. Ю.В. Хабаров, В.В. Капаев, В.А. Петров, Г.Б. Галиев. ФТП, 40, 572 (2006)
  2. Б.Н. Звонков, Е.Р. Линькова, И.Г. Малкина, Д.О. Филатов, А.Л. Чернов. Письма ЖЭТФ, 63, 418 (1996)
  3. J.M. Gerard, J.B. Genin, J. Lefebvre, J.M. Moison, N. Lebouche, F. Barthe. J. Cryst. Growth, 150, 351 (1995)
  4. J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, J. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
  5. M. Grassi Alessi, M. Capizzi, A.S. Bhatti, A. Frova, F. Martelli, P. Frigeri, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B, 59, 7620 (1999)
  6. M. Sydor, J.R. Engholm, M.O. Manasreh, K.R. Evans, C.E. Stutz, W.C. Mitchel. Phys. Rev. B, 45, 13 796 (1992)
  7. М.А. Черников, А.Е. Сотников, О.А. Рябушкин, П. Трубенко, И. Берищев, А. Овчинников. Квант. электрон., 34, 875 (2004)
  8. С.В. Поляков, В.А. Сабликов. Мат. моделирование, 9, 76 (1997)
  9. Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ЖТФ, 75, 66 (2005)
  10. D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
  11. D.E. Aspnes. Phys. Rev. B, 10, 4228 (1974)
  12. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  13. X. Zhang, K. Onabe, Y. Nitta, B. Zhang, S. Fukatsu, Y. Shraki, R. Ito. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1631 (1991)
  14. J.M. Gerard, J.Y. Marzin. Phys. Rev. B, 45, 2414 (1992)
  15. D. Gershoni, H. Temkin, M.B. Panish, R.A. Hamm. Phys. Rev. B, 39, 5531 (1988)
  16. J.S. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, C.M. Tsai, J.C. Fan. J. Appl. Phys., 79, 664 (1996)
  17. Б.В. Новиков, Г.Г. Зегря, Р.М. Пелещак, О.О. Данькив, В.А. Гайсин, В.Г. Талалаев, И.В. Шторм, Г.Э. Цырлин. ФТП, 42, 1094 (2008)
  18. Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков, В.А. Кульбачинский. ФТП, 37, 77 (2003)
  19. G. Sek, J. Andrzejewski, K. Ryczko, P. Poloczek, J. Misiewicz, E.S. Semenova, A. Lemaitre, G. Patriarche, A. Ramdane. Semicond. Sci. Technol., 24, 085 011 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.