Вышедшие номера
Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
Сизов В.С.1,2, Цацульников А.Ф.1,2, Сахаров А.В.1,2, Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Черкашин Н.А.1,3, Hytch M.J.3, Николаев А.Е.1,2, Минтаиров А.М.4, He Yan4, Merz J.L.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
4EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, (USA)
Поступила в редакцию: 24 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

Исследованы оптические и светодиодные диодные структуры с активной областью InGaN, содержащие короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN. Показано, что короткопериодные сверхрешетки представляют собой тонкие двумерные слои с относительно малым содержанием индия, содержащие в себе включения толщиной 1-3 нм с высоким содержанием индия. Включения проявляют себя с точки зрения оптических свойств как неоднородный массив квантовых точек, заключенный в остаточную квантовую яму. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах позволяет уменьшить концентрацию безызлучательных центров, а также повысить инжекцию носителей в активной области за счет увеличения эффективной высоты барьера AlGaN, что в целом приводит к повышению квантовой эффективности светодиодов.