"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
Сизов В.С.1,2, Цацульников А.Ф.1,2, Сахаров А.В.1,2, Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Черкашин Н.А.1,3, Hytch M.J.3, Николаев А.Е.1,2, Минтаиров А.М.4, He Yan4, Merz J.L.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
4EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, (USA)
Поступила в редакцию: 24 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

Исследованы оптические и светодиодные диодные структуры с активной областью InGaN, содержащие короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN. Показано, что короткопериодные сверхрешетки представляют собой тонкие двумерные слои с относительно малым содержанием индия, содержащие в себе включения толщиной 1-3 нм с высоким содержанием индия. Включения проявляют себя с точки зрения оптических свойств как неоднородный массив квантовых точек, заключенный в остаточную квантовую яму. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах позволяет уменьшить концентрацию безызлучательных центров, а также повысить инжекцию носителей в активной области за счет увеличения эффективной высоты барьера AlGaN, что в целом приводит к повышению квантовой эффективности светодиодов.
  1. S. Nakamura. Proc. OIDA Solid-State Lighting Workshop (Albuquerque, May 30, 2002)
  2. Yen-Kuang Kuo, Jih-Yuan Chang, Miao-Chan Tsai, Sheng-Horng Yen. Appl. Phys. Lett., 95, 011 116 (2009)
  3. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44 (1), 96 (2010)
  4. HREM Research. http://www.hremresearch.com
  5. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  6. J.L. Rouvi\`ere, P. Bayle-Guillemaud, G. Radtke, S. Groh, O. Briot. Inst. Phys. Conf. Ser., 169, 17 (2001)
  7. Д.С. Сизов, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов, В.В. Лундин, Ю.Г. Мусихин, В.С. Сизов, Р.А. Сурис, А.Ф. Цацульников. ФТП, 41 (5), 595 (2007)
  8. M.F. Schubert, S. Chhajed, J.K. Kim, E.F. Schuberta, D.D. Koleske, M.H. Crawford, S.R. Lee, A.J. Fischer, G. Thaler, M.A. Banas. Appl. Phys. Lett., 91, 231 114 (2007)
  9. I.V. Rozhansky, D.A. Zakheim. Phys. Status Solidi A, 204 (1), 227 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.