Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
4EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, (USA)
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
4EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, (USA)
Поступила в редакцию: 24 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
Исследованы оптические и светодиодные диодные структуры с активной областью InGaN, содержащие короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN. Показано, что короткопериодные сверхрешетки представляют собой тонкие двумерные слои с относительно малым содержанием индия, содержащие в себе включения толщиной 1-3 нм с высоким содержанием индия. Включения проявляют себя с точки зрения оптических свойств как неоднородный массив квантовых точек, заключенный в остаточную квантовую яму. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах позволяет уменьшить концентрацию безызлучательных центров, а также повысить инжекцию носителей в активной области за счет увеличения эффективной высоты барьера AlGaN, что в целом приводит к повышению квантовой эффективности светодиодов.
- S. Nakamura. Proc. OIDA Solid-State Lighting Workshop (Albuquerque, May 30, 2002)
- Yen-Kuang Kuo, Jih-Yuan Chang, Miao-Chan Tsai, Sheng-Horng Yen. Appl. Phys. Lett., 95, 011 116 (2009)
- А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44 (1), 96 (2010)
- HREM Research. http://www.hremresearch.com
- M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
- J.L. Rouvi\`ere, P. Bayle-Guillemaud, G. Radtke, S. Groh, O. Briot. Inst. Phys. Conf. Ser., 169, 17 (2001)
- Д.С. Сизов, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов, В.В. Лундин, Ю.Г. Мусихин, В.С. Сизов, Р.А. Сурис, А.Ф. Цацульников. ФТП, 41 (5), 595 (2007)
- M.F. Schubert, S. Chhajed, J.K. Kim, E.F. Schuberta, D.D. Koleske, M.H. Crawford, S.R. Lee, A.J. Fischer, G. Thaler, M.A. Banas. Appl. Phys. Lett., 91, 231 114 (2007)
- I.V. Rozhansky, D.A. Zakheim. Phys. Status Solidi A, 204 (1), 227 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
