Вышедшие номера
Сверхмощная пикосекундная коммутация тока кремниевым обострителем с механизмом последовательного переключения структур
Любутин С.К.1, Рукин С.Н.1, Словиковский Б.Г.1, Цыранов С.Н.1
1Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 26 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

Экспериментально реализован и теоретически исследован процесс сверхбыстрой коммутации тока кремниевым обострителем с механизмом последовательного переключения структур. На прибор, расположенный в 50-омной передающей линии и содержащий 44 последовательно соединенные диодные структуры, подавался импульс напряжения амплитудой до 180 кВ и временем нарастания 400 пс. После переключения прибора в передающей линии получены импульсы амплитудой 150 кВ с временем нарастания 100 пс. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания входного напряжения на одну структуру более 4·1013 В/с, реализованной в эксперименте, электрическое поле у p-n-перехода достигает порога зинеровского пробоя (~106 В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией 1011 см-3.