Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности световой вольт-амперной характеристики двусторонне чувствительных солнечных элементов на основе тонких базовых слоев CdTe

Мериуц А.В.¹, Хрипунов Г.С.¹, Шелест Т.Н.¹, Дейнеко Н.В.¹

¹Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Kharkiv, Ukraine

National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Kharkiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 22 октября 2009 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что особенности световых вольт-амперных характеристик двусторонне чувствительных солнечных элементов glass/SnO₂ : F/CdS/CdTe/Cu/ITO с тонким базовым слоем связаны с возникновением фотовольтаического эффекта на тыльном контакте. Предложена эквивалентная схема исследуемой приборной структуры, которая учитывает наличие двух освещенных диодов - фронтального диода (основного сепарирующего барьера) и диода на тыльном контакте.

Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38, 937 (2004)
D.L. Batzner. Perfomance and stability of CdTe/CdS solar cells for terrestrial and space applications: PhD Thesis ETH 15214.--Zurich (2003)
M. Houng, F. Jeng. Sol. St. Commun., 66 (1), 1 (1988)
C.S. Ferekides, V. Viswanathathan, D.L. Morel. Proc. 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (Anaheim, USA, 1997)
N. Romeo, A. Bosio, R. Tedeschi. Int. J. Solar Energy, 12, 183 (1992)
A. Niemegeers, M. Burgelman. J. Appl. Phys., 81, 2881 (1997)
Y. Roussillon, V.G. Karpov, Diana Shvydka, J. Drayton, A.D. Compaan. IEEE, 441 (2005)
G. Khrypunov, A. Romeo, F. Kurtzesau, D.L. Batzner, H. Zogg, A.N. Tiwari. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 664 (2006)
A. Romeo, G. Khrypunov, S. Galassini, H. Zogg, A.N. Tiwari. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 90, 1388 (2007)
D.L. Batzner, A. Romeo, H. Zogg, R. Wendt, A.N. Tiwari. Thin Sol. Films, 387, 151 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель