"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами
Емцев В.В.1, Иванов А.М.1, Козловский В.В.2, Лебедев А.А.1, Оганесян Г.А.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 апреля 2010 г.

Обсуждаются скорости удаления носителей заряда из зоны проводимости в FZ-Si и 4H-SiC n-типа, подвергнутых облучению протонами с энергией 8 и 15 МэВ при комнатной температуре. Приведены расчетные оценки скоростей образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля) в этих материалах, которые сравниваются с экспериментально определенными величинами. Протоны создают дефекты в каскадах соударений с участием атомов отдачи самой кристаллической решетки. Проведено сопоставление с аналогичными данными, полученными ранее при облучении FZ-Si и 4H-SiC n-типа электронами с энергией 900 кэВ, когда среди первичных радиационных дефектов абсолютно доминируют изолированные так называемые близкие пары Френкеля. Установлено, что модель образования E-центров, которая очень хорошо описывает уменьшение удельной электропроводности n-FZ-Si при электронном облучении, не подходит для интерпретации экспериментальных данных, полученных при протонном облучении. Относительно 4H-SiC ставится вопрос о существенном отжиге "простых" радиационных дефектов типа близких пар Френкеля во время облучения при комнатной температуре.
  • J.B. Casady, R.W. Johnson. Sol. St. Electron., 39, 1409 (1996)
  • S. Nishino, J. Powell, N.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42, 460 (1983).
  • П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. ФТП, 43 ( 4), 527 (2009)
  • G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instrum. Meth. A, 426, 1 (1999)
  • А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
  • В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонв (СПб., Наука, 2003)
  • В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42, 243 (2008)
  • J.M. Poate, J.S. Williams. In: Ion Implantation and Beam Processing, ed. by J.S. Williams, J.M. Poate (Academic, Sydney, 1984) p. 13
  • G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev. A, 134, 1359 (1964)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  • D. Aberg, A. Hallen, P. Pellegrino, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 78, 2908 (2001)
  • M. Mikelsen, U. Grossner, J.H. Bleka, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, R. Yakimova, A. Henry, E. Janzen, A.A. Lebedev. Mater. Sci. Forum, 600-- 603, 425 (2009)
  • W.A. MacKinley, H. Feshbach. Phys. Rev., 74, 1759 (1948)
  • Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Academic Press. Inc., 1984)
  • Н.А. Витовский, Д. Мустафакулов, А.П. Чекмарева. ФТП, 11 ( 9), 1747 (1977)
  • E. Holmstrom, A. Kuronen, K. Nordlund. Phys. Rev. B, 78, 045202 (2008)
  • J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353-- 356, 381 (2001)
  • J.W. Steeds, G.A. Evans, S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1923 (2002)
  • Ю.В. Булгаков, Т.И. Коломенская. ФТП, 1, 422 (1967)
  • В.С. Вавилов, Н.У. Исаев, Б.Н. Мукашев, А.В. Спицын. ФТП, 6, 1041 (1972)
  • J.S. Blakemore. Semiconductor Statistics, N.Y., 1962
  • L.Palmetshofer, J. Reisinger. J. Appl. Phys., 72, 2167 (1992)
  • T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, H. Masuda. J. Appl. Phys., 48, 2145 (1977)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
  • A.Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053706 (2005)
  • H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battistig. Phys. Rev. B, 62, 10 126 (2000)
  • A.A. Lebedev, A.I. Veinger, V.V. Kozlovski, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  • B.G. Svensson, A. Hallen, M.K. Linnarsson, A.Yu. Kuznetsov, M.S. Janson, D. Aberg, J. Osterman, P.O.A. Persson, L. Hultman, L. Storasta, F.H.C. Carlsson, J.P. Bergman, C. Jagadish, E. Morvan. Mater. Sci. Forum, 353-- 356, 549 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.