"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
Семенов А.Н.1, Терентьев Я.В.1, Мельцер Б.Я.1, Соловьев В.А.1, Попова Т.В.1, Нащекин А.В.1, Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Усикова А.А.1, Яковлев Ю.П.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микросокпии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы GaxIn1-xAsySb1-y с x<0.8, выращеные при температуре 500oC, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов GaxIn1-xAsySb1-y (x<0.75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.
  1. A.A. Toropov, O.G. Lyublinskaya, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov. In: III-V Semiconductor Heterostructures: Physics and Devices, ed. by W.Z. Cai, Researsch Signpost (Keraia, 2003) p. 169
  2. И.А. Андреев, Н.Д. Ильинская, Е.В. Куницина, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 974 (2003)
  3. А.П. Астахов, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ПЖТФ, 33, 8 (2007)
  4. И.А. Андреев, Е.В. Куницина, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 249 (1999)
  5. В.И. Васильев, А.Г. Дерягин, В.И. Кучинский, В.М. Смирнов, Г.С. Соколовский, Д.Н. Третьяков, Н.Н. Фалеев. ПЖТФ, 24, 58 (1998)
  6. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 58, 194 (1982)
  7. V.S. Sorokin, S.V. Sorokin, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 216, 97 (2000)
  8. K. Nakajima, K. Osamura, K. Yasuda, Y. Murakami. J. Cryst. Growth, 41, 87 (1977)
  9. А.Н. Баранов, А.Н. Именков, О.П. Капранчик, А.М. Литвак, Н.А. Чарыкин, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 16, 19 (1990)
  10. H.R. Blank, S. Mathis, E. Hall, S. Bhargava, A. Behres, M. Heuken, H. Kroemer. V. Narayamurti. J. Cryst. Growth, 187, 18 (1998)
  11. H. Miyoshi. Y. Horikoshi. J. Cryst. Growth, 227- 228, 571 (2001)
  12. C. Lin, Y.L. Zheng, A.Z. Li. J. Cryst. Growth, 227- 228, 605 (2001)
  13. A.K. Srivastova, J.C. De Winter, C. Caneau, M.A. Pollack, J.L. Zyskind. Appl. Phys. Lett., 48, 903 (1986)
  14. B.L. Carter, E. Shaw, J.T. Olesberg, W.K. Chan, T.C. Hasenberg, M.E. Flatte. Electron. Lett., 36, 1301 (2000)
  15. O.V. Sulima, K. Swaminathan, T.F. Refaat, N.N. Faleev, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, S.V. Ivanov, M.N. Abedin, U.N. Singh, D. Prather. Electron. Lett., 42, 355 (2006)
  16. L. Shterengas, G.L. Belenky, J.G. Kim, R.U. Martinelly. Semicond. Sci. Technol., 19, 655 (2004)
  17. А.Н. Семенов, В.С. Сорокин, В.А. Соловьев, Б.Я. Мельцер, С.В. Иванов. ФТП, 38, 278 (2004)
  18. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  19. R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
  20. I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, Ya.V. Terent'ev, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, Yu.P. Yakovlev. 8th Int. Conf. Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD) 2007, Bad Ischl, Austria, p. 94
  21. A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, Ya.V. Terent'ev, L.G. Prokopova, S.V. Ivanov, A.N. Semenov. J. Cryst. Growth, 278, 203 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.