Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb3O4
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
В поликристаллических слоях Pb3O4 изучена проводимость на переменном токе в интервале частот f=102-105 Гц и диапазоне температур 293-370 K в темновом и световом режимах измерения. Обсуждаются особенности процесса переноса заряда. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Мотта показывает, что проводимость отвечает прыжковому механизму и имеет место электроперенос в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми. Для различных значений температуры определены микропараметры, определяющие процесс проводимости, такие как плотность локальных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда. PACS: 72.20.Ee, 71.23.An
- В.Т. Аванесян, Е.П. Баранова. Письма ЖТФ, 33 (10), 49 (2007)
- Г.А. Бордовский, В.А. Извозчиков. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл (СПб., Образование, 1997)
- А.М. Солодуха, З.А. Либерман. ФТТ, 43, 1966 (2001)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
- В.Т. Аванесян, В.А. Бордовский, Е.П. Баранов, Г.И. Грабко. ФТП, 41 (12), 1425 (2007)
- V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii, S.A. Potachev. J. Non-Cryst. Sol., 305, 136 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
