Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Динамика локального микропробоя в гейгеровском режиме работы лавинных фотодиодов

Верховцева А.В.¹, Гергель В.А.¹

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 1 октября 2008 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами математического моделирования исследована динамика развития микропробоя в кремниевых лавинных фотодиодных структурах. Построенная модель учитывает локальность области лавинного умножения, возникающей при поглощении единичного фотона, и запаздывание растекания лавинного тока по площади тыльного электрода диода. Проведенные вычисления показывают две различные фазы переходного процесса формирования электрического сигнала: быструю (за счет растекания тока) и медленную (за счет обычной RC-перезарядки). Рассчитаны величины нагрузочных сопротивлений, необходимые для реализации импульсного режима работы лавинных фотодиодных структур, для серии актуальных значений емкости диода и сопротивления растекания тыльного электрода. PACS: 73.40.Lq, 85.30.Mn, 85.60.Dw

A. Spinelli, A.L. Lacaita. IEEE Trans. Electron Dev., 44, 1931 (1997)
R.J. McIntyre. IEEE Trans. Electron Dev., 46, 1623 (1999)
C. Groves, C.H. Tan, J.P.R. David, G.J. Rees, M.M. Hayat. IEEE Trans. Electron Dev., 52, 1527 (2005)
S. Forrest. IEEE Electron Dev. Lett., 5, 536 (1984)
M. Ghioni, S. Cova, A. Lacaita, G. Ripamonti. Electron. Lett., 24, 1476 (1988)
N.G. Woodard, E.G. Hufstedler, G.P. Latyatis. Appl. Phys. Lett., 64, 1177 (1994)
D. Stoppa, L. Pancheri, M. Scandiuzzo, M. Malfatti, G. Pedretti, L. Gonzo. Proc. European Solid--State Circuits Conference (ESSCIRC) (Grenoble, France, 2005) p. 487
C. Niclass, A. Rochas, P.-A. Besse, E. Charbon. IEEE J. Sol. St. Circuits, 40, 1847 (2005)
И.В. Ванюшин, В.А. Гергель, В.М. Гонтарь, В.А. Зимогляд, Ю.И. Тишин, В.А. Холоднов, И.М. Щелева. ФТП, 41, 741 (2007)
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973) с. 68

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель