Выполнен анализ детектирующих свойств ряда короткоканальных полевых транзисторов с использованием их стационарных выходных характеристик. Вид рассчитанных зависимостей вольт-ваттной чувствительности от прикладываемых напряжений сопоставляется с соответствующими кривыми, полученными из высокочастотных измерений. Показано, что наблюдаемый в диапазоне частот 400-750 ГГц немонотонный вид зависимости фоточувствительности полевых гетеротранзисторов от прикладываемых к затвору напряжений не связан с резонансным возбуждением двумерных плазмонов в подзатворной плазме транзистора, а обусловлен изменением характера распределения стационарных полей внутри структуры и, как следствие, с изменением эффективности проявления нерезонансных механизмов нелинейности в электронной подсистеме транзистора с ростом напряжения между затвором и транспортным каналом. Данный вывод подтверждается исследованиями частотных зависимостей фотоотклика в рассматриваемом диапазоне, не обнаруживающих резонансное поведение на частотах, соответствующих положению наблюдаемых максимумов на кривых, измеренных на фиксированной частоте при разных напряжениях на затворе транзистора. PACS: 72.20.Ht, 72.30.+q, 73.40.-c, 73.50.Mx, 85.30.Pq

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.