Развита теория термоэдс в биполярных полупроводниковых образцах, учитывающая искривление зон энергии у поверхностей полупроводника. Приняты во внимание граничные условия на реальном переходе металл-полупроводник и возникающий у поверхностей образца неравновесный объемный заряд. Модель построена в линейном приближении по градиенту температуры, т. е. при малом отклонении концентрации носителей от равновесной в объеме образца. Показано, что зависимость термоэдс от разности температур нагревателя и холодильника может стать нелинейной при определенных поверхностных параметрах и толщине полупроводника. PACS: 73.50.Lw

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.