Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперная характеристика p-n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si₂)_1-x(CdS)_x

Саидов А.С.¹, Лейдерман А.Ю.¹, Усмонов Ш.Н.¹, Холиков К.Т.¹

¹Физико-технический институт им. С.В. Старбодубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан

Поступила в редакцию: 8 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы вольт-амперные характеристики структур p-Si-n-(Si₂)_1-x(CdS)_x (0=< x=<0.01) при различных значениях температуры. Обнаружено, что вольт-амперная характеристика таких структур имеет участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V₀exp(JaW). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность неосновных носителей - дырок - уменьшается с ростом температуры. PACS: 73.40.Lq, 81.05.Dz

A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, V.A. Risaeva, E.A. Koschanov. Mater. Chem. Phys., 68, 1 (2001)
В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. II. [Пер. с англ.: M. Hansen, K. Anderko. Constitution of binary alloys (Toronto-London-N. Y., 1958) v. II]
А.С. Саидов, М.С. Саидов, Э.А. Кошчанов. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе (Ташкент, Фан, 1986)
В.И. Стафеев. ЖТФ, 28 (8), 1631 (1958)
В.И. Фистуль. Физика и химия твердого тела (М., Металлургия, 1995) т. I, II
A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Sol. St. Commun., 27, 339 (1976)
А.А. Абакумов, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, И.З. Каримова, П.И. Книгин, А.Ю. Лейдерман. ФТП, 10 (3), 486 (1976)
А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Б. Сапаев, С.Ж. Каражанов. ФТП, 27 (2), 256 (1993)
А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Б. Сапаев, С.Ж. Каражанов, Д.В. Сапаров. ФТП, 30 (6), 1036 (1996)
Э.И. Адирович, П.М. Карагергий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель