Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные и люминесцентные свойства пленок ZnO : P, полученных отжигом подложек ZnP₂ в атомарном кислороде

Рогозин И.В.¹

¹Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина Berdyansk State Pedagogical University, Berdyansk, Ukraine

Поступила в редакцию: 14 января 2008 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

PDF версия

Эпитаксиальные пленки ZnO:P получены отжигом подложек ZnP₂ в атомарном кислороде (радикалах). Свойства пленок исследованы с помощью рентгеновской дифракции, атомной силовой микроскопии, оже-спектроскопии, фотолюминесценции. В рентгеновских дифракционных спектрах образцов наблюдается пик (002), что указывает на ориентацию пленок ZnO : P вдоль c-оси. Оже-спектроскопия показывает наличие фосфора в пленках ZnO. В спектре низкотемпературной фотолюминесценции ZnO : P наблюдаются пик 3.356 эВ предположительно экситона, связанного на нейтральном акцепторе, и переход свободный электрон-акцептор при 3.306 эВ, связанный с уровнем P_O. Акцепторный уровень, связанный с фосфором, локализован при 128 мэВ выше потолка валентной зоны. Обсуждается природа полосы при 3.312 эВ, связываемая с рекомбинацией на донорно-акцепторных парах. PACS: 61.10.Nz, 68.37.Ps, 68.55.Jk, 68.55.LN, 78.55.Et, 81.15.Hi, 82.80.Pv

S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Berlin, Springer, 1997)
D.C. Look, G.C. Farlow, P. Reunchan, S. Limpijumnong, S.B. Zhang, K. Nordlund. Phys. Rev. Lett., 95, 225 502 (2004)
K. Vanheusden, C.H. Seager, W.L. Warren, D.R. Tallant, J.A. Voigt. Appl. Phys. Lett., 68, 403 (1996)
D. Pfisterer, D.M. Hofmann, J. Sann, B.K. Meyer, R. Tena-Zabera, V. Munoz-Sanjose, Th. Frank, G. Pensl. Physica B, 376--377, 767 (2006)
R.M. Park, M.B. Troffer, C.M. Rouleau, J.M. DePuydt, M.A. Haase. Appl. Phys. Lett., 57, 2127 (1990)
H.W. Liang, Y.M. Lu, D.Z. Shen, Y.C. Liu, J.F. Yan, C.X. Shan, B.H. Li, Z.Z. Zhang, J.Y. Zhang, X.W. Fan. Phys. Status Solidi A, 202, 1060 (2005)
J.W. Sun, Y.M. Lu, Y.C. Liu, D.Z. Shen, Z.Z. Zhang, B.H. Li, J.Y. Zhang, B. Yao, D.X. Zhao, X.W. Fan. Sol. St. Commun., 140, 345 (2006)
И.В. Рогозин. ФТП, 41 (8), 924 (2007)
V. Vaithianathan, Y.H. Lee, B.-T. Lee, S. Hishita, S.S. Kim. J. Cryst. Growth, 287, 85 (2006)
M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin, A.V. Marakhovsky. Functional Mater., 12 (4), 616 (2005)
H. Tampo, H. Shibata, P. Fons, A. Yamada, K. Matsubara, K. Iwata, K. Tamura, H. Takasu, S. Niki. J. Cryst. Growth, 278, 268 (2005)
T. Yamamoto, H. Katayama-Yoshida. Jpn. J. Appl. Phys., 38, L166 (1999)
T. Yamamoto, H. Katayama-Yoshida. Physica B, 302--303, 155 (2001)
D. Wang, Y.C. Liu, R. Mu, J.Y. Zhang, Y.M. Lu, D.Z. Shen, X.W. Fan. J. Phys.: Condens. Matter, 16, 4635 (2004)
E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Kossut, R. Butkute, W. Dobrowolski, R. Lukasiewicz, A. Barcz, R. Jakieda, E. Dynowska, E. Przezdziecka, M. Aleszkiewicz, P. Wojnar, E. Kowalczyk. Phys. Status Solidi C, 2, 1119 (2005)
Y. Nakano, T. Morikawa, T. Ohwaki, Y. Taga. Appl. Phys. Lett., 88, 172 103 (2006)
C.D. Wagner, D.A. Zatko, R.H. Raymond. Anal. Chem., 52, 1445 (1980)
R. Franke, Th. Chasse, P. Streubel, A. Meisel. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 56, 381 (1991)
A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevsky, I.V. Rogozin. Inorg. Mater., 41, Suppl. 1, S1 (2004)
L. Wang, N.C. Giles. J. Appl. Phys., 94, 973 (2003)
D.-K. Hwang, H.-S. Kim, J.-H. Lim, J.-Y. Oh, K.-K. Kim, D.C. Look, Y.S. Park. Appl. Phys. Lett., 86, 151 917 (2005)
B.Q. Cao, M. Lorenz, A. Rahm, H. von Wenckstern, C. Czekalla, J. Lenzner, G. Bennodorf, M. Grundmann. Nanotechnology, 18, 455 707 (2007)
И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Окись цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1984) гл. 4, с. 87
Y.R. Ryu, T.S. Lee, H.W. White. Appl. Phys. Lett., 83, 87 (2003)
J. Lu, Q. Liang, Y. Zhang, Z. Ye, S. Fujita. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 3177 (2007)
S. Yamauchi, Y. Goto, T. Hariu. J. Cryst. Growth, 260, 1 (2004)
J. Li, S.-H. Wei, S.-S. Li, J.-B. Xia. Phys. Rev. B, 74, 081 201 (2006)
А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, В.В. Кидалов, Л.С. Лепнев, И.В. Рогозин. Неорг. матер., 37 (11), 1287 (2001)
S. Limpijumnong, S.B. Zhang, S.-H. Wei, C.H. Park. Phys. Rev. Lett., 92, 155 504 (2004)
W.-J. Lee, J. Kang, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 73, 024 117 (2006)
А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.О. Воробьев. ФТП, 36, 284 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель