"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модель термического окисления кремния на фронте объемной реакции
Александров О.В.1, Дусь А.И.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 2008 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2008 г.

Разработана модель термического окисления кремния, в которой взаимодействие с окислителем происходит на фронте объемной реакции. Ширина реакционной зоны соответствует ширине переходного слоя с нарушенной стехиометрией (delta~7.5 Angstrem). Учитывается релаксация коэффициента диффузии окислителя от значения в напряженном диоксиде кремния до значения в ненапряженном диоксиде кремния, равного коэффициенту диффузии в плавленом кварце. Релаксация связывается со структурной перестройкой аморфного диоксида кремния при удалении от границы реакционной зоны. Модель хорошо описывает кинетику термического окисления кремния в сухом кислороде в широком диапазоне толщин диоксида кремния, включая начальный этап. PACS: 81.65.Mq, 82.20.Nk, 82.33.Pt
  • R.L. Opila, D.W. Hess. J. Electrochem. Soc., 150, S1 (2003)
  • B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)
  • B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 125, 576 (1978)
  • N.F. Mott, S. Rigo, F. Rochet, A.M. Stoneham. Phil. Mag. B, 60, 189 (1989)
  • I.J.R. Boumvol. Surf. Sci. Rep., 36, 1 (1999)
  • Н.А. Колобов. В кн.: Математическое моделирование процессов тепло и массопереноса (М., Наука, 1987) с. 280
  • Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний--диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003)
  • H.Z. Massoud, J.D. Plummer, E.A. Irene. J. Electrochem. Soc., 132, 2685, 2693 (1985)
  • H.Z. Massoud, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 62, 3416 (1987)
  • C.-J. Han, C.R. Helms. J. Electrochem. Soc., 134, 1297 (1987)
  • H. Wong, Y.C. Cheng. J. Appl. Phys., 64, 893 (1988)
  • E.A. Irene. J. Appl. Phys., 54, 5416 (1983); A.G. Revesz, B.J. Mrstik, H.L. Hughes, D. McCarthy. J. Electrochem. Soc., 133, 587 (1986)
  • S.A. Schafer, S.A. Lion. Appl. Phys. Lett., 47, 154 (1985)
  • R.B. Beck, B. Majkusiak. Phys. Status Solidi A, 116, 313 (1989)
  • В.А. Арсламбеков, А. Сафаров. Микроэлектроника, 6, 75 (1977)
  • A. Fargeix, G. Ghibaudo, G. Kamarinos. J. Appl. Phys., 54, 2878 (1983)
  • В.И. Соколов, Н.А. Федорович, В.А. Шеленшкевич. ФТТ, 18, 1794 (1976)
  • E.P. Eernisse. Appl. Phys. Lett., 38, 8 (1979)
  • A. Fargeix, G. Ghibaudo. J. Appl. Phys., 56, 589 (1984)
  • W.A. Tiller. J. Electrochem. Soc., 130, 501 (1983)
  • K.T. Queeney, M.K. Weldon, J.P. Chang, Y.J. Chabal, A.B. Gurevich, J. Sapjeta, R.L. Opila. J. Appl. Phys., 87, 1322 (2000)
  • K. Kimura, K. Nakajima. Appl. Surf. Sci., 216, 283 (2003)
  • A.R. Chowdhuri, D.-U. Jim, C.G. Takoudis. Thin Sol. Films, 457, 402 (2004)
  • H. Larralde, M. Araujo, S. Havlin, H.E. Stanley. Phys. Rev. A, 46, 855 (1992)
  • Г.В. Гадияк. Микроэлектроника, 27, 288 (1998)
  • R.M.C. de Almeida, S. Goncalves, I.J.R. Baumvol, F.C. Stedile. Phys. Rev. B, 61, 12 992 (2000)
  • C. Krzeminski, G. Larrieu, J. Penaud, E. Lampin, E. Dubois. J. Appl. Phys., 101, 064 908 (2007)
  • F.J. Norton. Nature, 191, 701 (1961)
  • K. Kajihara, M. Hirano, M. Uramoto, Y. Morimoto, L. Skuja, H. Hosono. J. Appl. Phys., 98, 013 527 (2005)
  • M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett., 42, 73 (1983)
  • E. Kobeda, E.A. Irene. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 574 (1988)
  • E.A. Irene, E. Tierney, J. Angilello. J. Electrochem. Soc., 129, 2594 (1982)
  • T.R. Waite. Phys. Rev., 107, 463 (1957)
  • E.A. Irene, Y.J. van der Meulen. J. Electrochem. Soc., 123, 1380 (1976)
  • S. Kamohara, Y. Kamigaki. J. Appl. Phys., 69, 7871 (1991)
  • M.L. Green, E.P. Gusev, R. Degraeve, E.L. Garfunkel. J. Appl. Phys., 90, 2057 (2001)
  • A. Bongiorno, A. Pasquarello. Phys. Rev. B, 70, 195 312 (2004)
  • W. Hartman, G. Franz. Appl. Phys. Lett., 37, 1004 (1981)
  • Y. Nishino, T. Imura. Phys. Status Solidi A, 74, 193 (1982)
  • L.M. Landsberger, W.A. Tiller. Appl. Phys. Lett., 51, 1416 (1987)
  • Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев, И.В. Матюшкин. ФТП, 37, 44 (2003)
  • T. Watanabe, K. Tatsumura, I. Ohdomari. Phys. Rev. Lett., 96, 196 102 (2006)
  • K. Taniguchi, M. Tanaka, C. Hamaguchi. J. Appl. Phys., 67, 2195 (1990)
  • B.J. Mrstik, P.J. McMarr. Phys. Rev. B, 48, 17 972 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.