Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Процессы возбуждения ионов Er3+ в SiO2 с нанокристаллами Si
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institut fur Physik, Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Nanotechnikum-Weinberg, Halle, Deutschland
2Institut fur Physik, Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Nanotechnikum-Weinberg, Halle, Deutschland
Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.
Рассчитаны вероятности возбуждения ионов эрбия нанокристаллами кремния в кварцевом стекле за счет кулоновского взаимодействия с локализованными в квантовых точках носителями при их рекомбинации и внутризонной релаксации. PACS: 73.22.Lp, 72.80.Ga, 61.72.Yx, 81.07.Ta
- A.J. Kenyon. Prog. Quant. Electron., 26, 225 (2002)
- C.E. Chryssou, A.J. Kenyon, T.S. Iwayama, C.W. Pitt, D.E. Hole. Appl. Phys. Lett., 75, 2011 (1999)
- D. Pacifici, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, L. Dal Negro. Phys. Rev. B, 67, 245 301 (2003)
- L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzolini, G. Franzo, F. Priolo. Nature, 408, 440 (2000)
- D. Timmerman, I. Izeddin, P. Stallinga, I.N. Yassievich, T. Gregorkiewicz. Nature Photonics, 2, 105 (2008)
- G. Franzo, V. Vinciguerra, F. Priolo. Appl. Phys. A, 69, 3 (1999)
- A.J. Kenyon, C.E. Chryssou, C.W. Pitt, T. Shimizu-Iwayama, D.E. Hole, N. Sharma, C.J. Humphreys. J. Appl. Phys., 91, 367 (2002)
- I.N. Yassievich, A.S. Moskalenko, O.B. Gusev, M.S. Bresler. In: Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Pavesi, S. Gaponenko and L. Dal Negro [Nato Sci. Ser., 93, 421 (2002)]
- I. Izeddin, A.S. Moskalenko, I.N. Yassievich, M. Fujii, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. Lett., 97, 207 401 (2006)
- А.С. Москаленко, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 46, 1465 (2004)
- A.S. Moskalenko, J. Berakdar, A.A. Prokofiev, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 76, 085 427 (2007)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН", 1997)
- Д.А. Варшалович, А.Н. Москалев, В.К. Херсонский. Квантовая теория углового момента (М., Наука, 1988)
- A.A. Prokofiev, A.S. Moskalenko, I.N. Yassievich. Mater. Sci. Eng. B, 146, 121 (2008)
- A. Suchocki, J.M. Langer. Phys. Rev. B, 39, 7905 (1989)
- A.A. Prokofiev, I.N. Yassievich, H. Vrielinck, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B, 72, 045 214 (2005)
- I.N. Yassievich, L.C. Kimerling. Semicond. Sci. Technol., 8, 718 (1993)
- A.S. Moskalenko, I.N. Yassievich, M. Forcales, M. Klik, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. B, 70, 155 201 (2004)
- M. Cardona, F.H. Pollak. Phys. Rev., 142, 530 (1966)
- B.K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, Clarendon, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
