Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О роли экранирования электрон-фононного взаимодействия в релаксации фотовозбужденной электронно-дырочной плазмы в полупроводнике
1Казахский национальный технический университет им. К.И. Сатпаева, Алматы, Казахстан 
Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.
Проведены аналитические оценки роли экранирования взаимодействия электронно-дырочной плазмы с оптическими фононами на примере арсенида галлия. PACS: 71.35.Fe, 71.38.-k.
- С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
- W. Potz, P. Cocevar. Phys. Rev. B, 28, 7040 (1983)
- О. Маделунг. Теория твердого тела (М., Наука, 1980)
- I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 94, 905 (1995)
- И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 33, 19 (1999)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
- Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, Т.А. Налет, С.В. Стеганцов. ФТП, 41, 1418 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
