Исследованы структуры на основе GaN с квантовым точками InGaN в активной области, излучающие в ближнем ультрафиолетовом диапазоне. В работе сравниваются два типа структур - с квантовыми точками InGaN в матрице GaN или AlGaN. Получены спектры фотолюминесценции для обоих типов структур в диапазоне температур 80-300 K и при различных плотностях накачки, а также спектры электролюминесценции для светодиодных структур с различными типами активной области. Показано, что структуры с квантовыми точками в матрице AlGaN термически более стабильны вследствие большей по сравнению с квантовыми точками в матрице GaN энергии локализации. Благодаря этому светодиодные структуры с квантовыми точками в матрице AlGaN имеют большую эффективность. PACS: 73.21.La, 78.55.Cr, 78.60.Fi, 78.67.Hc, 85.60.Jb

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.