Исследованы основные процессы и механизмы оже-рекомбинации неравновесных носителей в полупроводниковой гетероструктуре с глубокими квантовыми ямами InAs_0.84Sb_0.16/AlSb. Показано, что в достаточно узких квантовых ямах преобладает беспороговый процесс оже-рекомбинации с участием двух тяжелых дырок; а в широких квантовых ямах доминирует резонансный процесс с участием двух электронов. Определена область значений ширины квантовой ямы, при которых происходит максимальное подавление оже-рекомбинации в данной структуре (область подавления). При этом основным процессом безызлучательной рекомбинации остается пороговый процесс с участием двух электронов, вероятность которого на несколько порядков меньше, чем для беспорогового и резонансного механизмов. В свою очередь беспороговый механизм с участием двух электронов в исследуемой гетероструктуре полностью исключен из-за большого разрыва зоны проводимости (значительно больше ширины запрещенной зоны). Также произведена оценка интервала длин волн излучения, соответствующего области подавления. Показано, что рассчитанный интервал принадлежит среднему ИК-диапазону. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.