Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сравнительный анализ механизмов формирования межфазной границы пленочной структуры в равновесных и резко неравновесных условиях

Беляев А.П.¹, Рубец В.П.¹, Антипов В.В.¹, Тошходжаев Х.А.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 октября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты структурных исследований (рентгенографических и электронографических) межфазной границы пленок твердых растворов (Zn_1-xCd_xTe)_1-y(In₂Te₃)_y и селенида цинка, выращенных на подложке из стекла в резко неравновесных условиях (температура подложки T_s=200 K) и в квазиравновесных условиях (при T_s=473 K). Показано, что процесс роста пленок твердых растворов осуществляется через зародыши разной формы и ориентации. Установлено, что пленки твердых растворов, выращенных на охлажденной подложке, с точки зрения кристаллической ориентации более совершенны, чем те же пленки, выращенные на нагретой подложке, где существенную роль в процессе роста играет оствальдовское созревание. PACS: 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55.Jk, 81.15.Gh, 81.40.Ef

А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В. Антипов. ФТП, 41, 1477 (2007)
S. Fujiwara, T. Chikamura, O. Eguchi, Y. Kuramoto, M. Fukai. IEEE Thans. Electron. Dev., ED-30, 706 (1983)
С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (СПб., Наука, 1996)
А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В. Антипов. ФТП, 40, 790 (2006)
А.П. Беляев, В.П. Рубец. ФТП, 35, 294 (2001)
Р. Доод, Дж. Эйлбек, Х. Морис. Солитоны и нелинейные волновые уравнения (М., Мир, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель