Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературные аномалии фотоэлектромагнитного эффекта в p-Cd_xHg_1-xTe, обусловленные перезарядкой поверхностных состояний

Гасан-заде С.Г.¹, Стриха М.В.¹, Шепельский Г.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 31 июля 2007 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В кристаллах p-Cd_xHg_1-xTe обнаружен ряд аномалий фотоэлектромагнитного эффекта, которые не находят объяснения в рамках существующих теоретических представлений. Построена общая модель фотоэлектромагнитного эффекта для полупроводников с большим отношением подвижностей электронов и дырок и с учетом влияния пространственного заряда. Модель позволяет объяснить все экспериментально наблюдаемые аномалии фотоэлектромагнитного эффекта, в том числе двойную смену знака в магнитном поле. Сравнение теории с экспериментом дает возможность определить параметры материала. Предполагается, что пространственный заряд, ответственный за аномалии фотоэлектромагнитного эффекта, связан с наличием особых поверхностных состояний с очень высокой концентрацией (~10¹³ см^-3), которые перезаряжаются из-за захвата ими неравновесных носителей. PACS: 73.50.Gr, 73.50.Pz, 75.80.+q, 78.20.Ls

Ю.И. Равич. Фотоэлектромагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., Сов. радио, 1967)
M. Nowak. Progr. Quant. Electon., 11, 205 (1987).
D.H. Lile. Phys. Rev. B, 8, 4708 (1973)
С.М. Городецкий, Н.С. Жданович, Ю.И. Равич. ФТП, 7, 1270 (1973)
V.I. Ivanov-Omskii, N.N. Berchenko, A.I. Elizarov. Phys. Status Solidi A, 103, 11 (1987)
С.Г. Гасан-заде. М.В. Стриха, Г.А. Шепельский. ФТП, 33, 574 (1999)
S.G. Gassan-zade, S.V. Staryj, M.V. Strikha, G.A. Shepelsky. Ukr. J. Phys., 49, 160 (2004)
В.И. Стафеев, В.П. Пономаренко, А.М. Филачев. Тез. докл. 6-й Росс. конф. по физике полупроводников (СПб., 2003) с. 188
Г.Г. Бабичев, И.П. Жадько, В.А. Романов. ФТП, 9, 2300 (1975)
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
F.T. Vasko, M.V. Strikha. Phys. Status Solidi B, 181, 447 (1994)
В.И. Туринов. ФТП, 38, 1129 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель