Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(GeSe)x
1Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Количественное соотношение в стеклах (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(GeSe)x двухвалентного и четырехвалентного олова зависит от скорости закалки расплава и его температуры. Облучение стекол gamma-квантами приводит к частичному окислению двухвалентного олова с образованием аморфной (мелкодисперсной) фазы SnO2, блокированной стеклом, так что физико-химические свойства стекол (плотность, микротвердость, температура стеклования и энергия активации электропроводности) практически не изменяются при облучении. PACS: 61.43.Fs, 76.80+y, 78.66.Jg
- Г.А. Бордовский, Р.А. Кастро, П.П. Серегин, Е.И. Теруков. ФТП, 41, 23 (2007)
- Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, В.Ф. Мастеров, П.П. Серегин. ФТТ, 41, 1897 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
