Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Численное моделирование InGaN/AlGaN-светодиодов с градиентными AlGaN-барьерами

Артеев Д.С.^1,2, Сахаров А.В.^1,2, Николаев А.Е.^1,2, Родин С.Н.^1,2, Цацульников А.Ф.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: ArteevDS@mail.ioffe.ru, Val@beam.ioffe.ru, AEN@mail.ioffe.ru, Andrew@beam.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.

В окончательной редакции: 23 июля 2026 г.

Принята к печати: 28 июля 2026 г.

Выставление онлайн: 14 октября 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнено одномерное численное моделирование светодиодных структур ближнего ультрафиолетового диапазона с InGaN-квантовыми ямами и различными профилями состава AlGaN-барьерных слоев: однородными Al_0.05Ga_0.95N и градиентными AlGaN. Показано, что использование градиентных барьеров с увеличением мольной доли AlN по направлению к p-области позволяет повысить внутреннюю квантовую эффективность до 56 % и эффективность инжекции до 89 % за счет изменения профиля зон и пространственного распределения носителей заряда, что приводит к снижению безызлучательной рекомбинации в барьерных слоях. Также показано, что при неоптимальном дизайне доля рекомбинации Шокли-Рида-Холла в барьерных слоях может достигать 70 % от ее общего темпа в структуре. Ключевые слова: нитрид галлия, светодиод, InGaN, AlGaN, моделирование, квантовая яма.

Y. Shen, Y. Zhang, L. Yu, K. Li, H. Pi, J. Diao, W. Hu, W. Song, C. Zhang, S. Li. J. Disp. Technol., 11, 677 (2015). DOI: 10.1109/JDT.2015.2421361
C. Xing, H. Yu, Z. Ren, H. Zhang, J. Dai, C. Chen, H. Sun. IEEE J. Quant. Electron., 56, 1 (2020). DOI: 10.1109/JQE.2019.2956344
S. Cui, G. Tao, L. Gong, X. Zhao, S. Zhou. Materials, 15, 8649 (2022). DOI: 10.3390/ma15238649
DDCC-1D --- Optoelectronic Device Simulation Laboratory [Электронный ресурс]. URL: https://yrwu-wk.ee.ntu.edu.tw/index.php/ddcc-1d/ (дата обращения 02.05.2026)
M. Filoche, M. Piccardo, Y.-R. Wu, C.-K. Li, C. Weisbuch, S. Mayboroda. Phys. Rev. B, 95, 144204 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.144204
I. Vurgaftman, M.P. Lumb, J.R. Meyer. Bands and Photons in III-V Semiconductor Quantum Structures (Oxford University Press, 2020). DOI: 10.1093/oso/9780198767275.001.0001
W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, S.O. Usov, E.E. Zavarin, P.N. Brunkov, M.A. Yagovkina, N.A. Cherkashin, A.F. Tsatsulnikov. Semiconductors, 48, 53 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614010199
C.-Z. Zhao, T. Wei, L.-Y. Chen, S.-S. Wang, J. Wang. Superlat. Microstr., 109, 758 (2017). DOI: 10.1016/j.spmi.2017.06.006
S. Huang, M. Ikeda, F. Zhang, M. Zhang, J. Zhu, S. Zhang, J. Liu. J. Semiconductors, 45, 082501 (2024). DOI: 10.1088/1674-4926/24010017
Y. Nakagawa, M. Haraguchi, M. Fukui, S. Tanaka, A. Sakaki, K. Kususe, N. Hosokawa, T. Takehara, Y. Morioka, H. Iijima, M. Kubota, M. Abe, T. Mukai, H. Takagi, G. Shinomiya. Jpn. J. Appl. Phys., 43, 23 (2004). DOI: 10.1143/JJAP.43.23
T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, L.I. Pomortseva, S.N. Yurkov, G.S. Simin, M. Asif Khan. Solid State Electron., 47, 111 (2003). DOI: 10.1016/S0038-1101(02)00256-3
A.L. Efros, M.E. Raikh. In: Optical Properties of Mixed Crystals, ed. by R.J. Elliott, I.P. Ipatova (Elsevier, Amsterdam, 1988) v. 23, p. 133. DOI: 10.1016/B978-0-444-87069-8.50009-9
S.Yu. Karpov, Y.N. Makarov. Appl. Phys. Lett., 81, 4721 (2002). DOI: 10.1063/1.1527225
D.S. Arteev, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, M.V. Rzheutski, E.V. Lutsenko, A.F. Tsatsulnikov. Semicond. Sci. Technol., 36, 125007 (2021). DOI: 10.1088/1361-6641/abfbdb
D.S. Arteev, S.Y. Karpov, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, S.O. Usov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Semicond. Sci. Technol., 35, 045017 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab74

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель