Исследована возможность использования тонких слоев MoO_x для пассивации и формирования селективного дырочного контакта на наноструктурированной поверхности черного кремния (black silicon, b-Si). Нановолокна b-Si высотой ~ 0.7 мкм и диаметром 0.1-0.2 мкм получены методом плазмохимического травления. Слои MoO_x осаждены вакуумным термическим испарением и, согласно растровой электронной микроскопии, формируют дендритные структуры на всей поверхности нановолокон. С помощью измерения кинетики спада фотолюминесценции показано, что пассивирующий слой MoO_x увеличивает время жизни неосновных носителей заряда с 9 до 59 мкс, что свидетельствует об успешной пассивации поверхности. Изготовлен лабораторный солнечный элемент Ag/ITO/MoO_x/b-Si/Ag с эффективностью преобразования 4.25 %. Результаты подтверждают перспективность MoO_x для создания солнечных элементов на основе черного кремния. Ключевые слова: черный кремний, оксид молибдена, селективные контакты, время жизни носителей заряда, солнечные элементы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.