Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2026, выпуск 5 » Статья стр. 300
<<<
Электронная структура и локализация электронной плотности на границе раздела монослой Ca/GaN(0001)
Лапушкин М.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lapushkin@ms.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 июня 2026 г.
В окончательной редакции: 14 августа 2026 г.
Принята к печати: 20 августа 2026 г.
Выставление онлайн: 1 октября 2026 г.
PDF версия
Методом функционала плотности исследована адсорбция атомов кальция на поверхности Ga-полярного GaN(0001). GaN(0001) моделировался суперъячейкой GaN(0001)2x2, содержащей 10 бислоев GaN. При монослойном покрытии кальция атомы Ca адсорбируются над поверхностными атомами N. Вблизи уровня Ферми образуется зона поверхностных состояний кальция. Взаимодействие валентных электронов кальция с электронами оборванных связей Ga приводит к локализации заряда в области связи Ca-Ga. Ключевые слова: нитрид галлия, кальций, адсорбция, электронная структура.
  1. Z. Wang, G. Wang, X. Liu, S. Wang, T. Wang, S. Zhang, J. Yu, G. Zhao, L. Zhang. J. Mater. Chem. C, 9, 17201 (2021). DOI: 10.1039/D1TC04022G
  2. R. Sun, J. Lai, W. Chen, B. Zhang. IEEE Access, 8, 15529 (2020). DOI: 10.1109/ACCESS.2020.2967027
  3. M. Behringer, H. Konig. PhotonicsViews, 17, 60 (2020). DOI:10.1002/phvs.202000018
  4. V.M. Bermudez. Surf. Sci. Rep., 72 (4), 147 (2017). DOI: 10.1016/j.surfrep.2017.05.001
  5. G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, S.N. Timoshnev. Surf. Sci., 603 (16), 2474 (2009). DOI: 10.1016/j.susc.2009.05.022
  6. Г.В. Бенеманская, С.Н. Тимошнев, С.В. Иванов, Г.Э. Франк-Камецкая, Д.Е. Марченко, Г.Н. Илуридзе. ЖЭТФ, 145 (4), 684 (2014). DOI: 10.7868/S0044451014040119. [G.V. Benemanskaya, S.N. Timoshnev, S.V. Ivanov, G.E. Frank-Kamenetskaya, D.E. Marchenko, G.N. Iluridze. J. Exp. Theor. Phys., 118 (4), 600 (2014). DOI: 10.1134/S1063776114040098]
  7. V.M. Bermudes. Surf. Sci., 417, 30 (1998). DOI: 10.1016/S0039-6028(98)00659-1
  8. Y. Yang, S. Mishra, F. Cerrina, S.H. Xu, H. Cruguel, G.J. Lapeyre, J.F. Schetzina. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (4), 1884 (1999). DOI: 10.1116/1.590840
  9. Z. Cui, X. Wang, M. Li, J. Zheng, Y. Ding, T. Liu. Solid State Commun., 296, 26 (2019). DOI: 10.1016/j.ssc.2019.04.01
  10. K.H. Yeoh, T.L. Yoon, T.-L. Lim, Rusi, D.S. Ong. Superlat. Microstruct., 130, 428 (2019). DOI: 10.1016/j.spmi.2019.05.011
  11. M.A. Reshchikov, D.O. Demchenko, M. Vorobiov, O. Andrieiev, B. McEwen, F. Shahedipour-Sandvik, K. Sierakowski, P. Jaroszynski, M. Bockowski. Phys. Rev. B, 106, 035206 (2022). DOI: 10.1103/PhysRevB.106.035206
  12. M.A. Reshchikov. Phys. Status Solidi B, 260, 2200488 (2023). DOI: 10.1002/pssb.202200488
  13. Y. Wu, Z. Zhao, X. Hao, R. Xu, L. Li, D. Lv, X. Huang, Q. Zhao, Y. Wu. Carbon Neutralization, 2, 551 (2023). DOI: 10.1002/cnl2.85
  14. М.Н. Лапушкин. Физ.-хим. аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов, 17, 447 (2025). [M.N. Lapushkin. Phys. and chem. aspects of the study of clusters, nanostructures and nanomaterials, 17, 447 (2025). DOI: 10.26456/pcascnn/2025.17.447 (In Russian)]
  15. J.P. Perdew, A. Zunger. Phys. Rev. B, 23, (10), 5048 (1981). DOI: 10.1103/PhysRevB.23.5048
  16. L. Lymperakis, K. Lymperakis, E. Iliopoulos. J. Appl. Phys., 136 (21), 215701 (2024). DOI:10.1063/5.0240751
  17. G. Shukla, H.M. Abdullah, U. Schwingenschlogl. Nanoscale, 15 (37), 15161 (2023). DOI: 10.1039/d3nr04143c
  18. H. Jiang, T. Wang, Z. Zhang, F. Liu, R. Shi, B. Sheng, S. Sheng, W. Ge, P. Wang, B. Shen, B. Sun, P. Gao, L. Lindsay, X. Wang. Nature Commun., 15 (1), 9052 (2024). DOI:10.1038/s41467-024-53394-z
  19. J.M. Crowley J. Tahir-Kheli, W.A. Goddard. Phys. Chem. Lett., 7 (7), 1198 (2016)
  20. A. Morales-Garcia, R. Valero, F. Illas. J. Phys. Chem. C, 121 (34), 18862 (2017). DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b07421
  21. A.L. Rosa, J. Neugebauer. Phys. Rev. B, 73 (20), 205346 (20026). DOI: 10.1103/PhysRevB.73.205346
  22. J. Heyd, G.E. Scuseria, M. Ernzerhof. J. Chem. Phys., 118 (18), 8207 (2003). DOI: 10.1063/1.1564060
  23. J.L. Lyons, C.G. Van de Walle. NPJ Comput. Mater., 3 (1), 12 (2017). DOI: 10.1038/s41524-017-0014-2
  24. D.O. Nielsen, C.G. Van de Walle, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood, M.V. Fischetti. Phys. Rev. B, 108 (15), 155203 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevB.108.155203
  25. J. Hubbard. Proc. Royal Soc. (London) A, 276 (1365), 238 (1963). DOI:10.1098/rspa.1963.0204
  26. F. Tran, P. Blaha. Phys. Rev. Lett., 102 (22), 226401 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevLett.102.226401
  27. L.G. Ferreira, M. Marques, L.K. Teles. Phys. Rev. B, 78 (12), 125116 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.78.125116
  28. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A.D. Corso, S. de Gironcoli, S. Fabris, G. Fratesi, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Condens. Matter, 21 (39), 395502 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/39/395502
  29. K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Jpn., 59 (10), 3455 (1990). DOI:10.1143/JPSJ.59.3455
  30. C. Bungaro, K. Rapcewicz, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 59 (15), 9771 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.59.9771
  31. P. Kempisty, S. Krukowski, P. Strak, P.K. Sakowski. J. Appl. Phys., 106 (5), 054901 (2009). DOI: 10.1063/1.3204965
  32. B. Silvi, A. Savin. Nature, 371, 683 (1994). DOI:10.1038/371683a0

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme