"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Продольная фотопроводимость гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
Кондратенко С.В.1, Николенко А.С.1, Вакуленко О.В.1, Головинский С.Л.1, Козырев Ю.Н.2, Рубежанская М.Ю.2, Водяницкий А.И.2
1Киевский национальный университет им. Т.Г. Шевченко (физический факультет), Киев, Украина
2Институт химии поверхности, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Исследовались спектральные зависимости продольной фотопроводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge. Был обнаружен фотоотклик структур Ge/Si с нанокластерами Ge в диапазоне 1.0-1.1 эВ при T=290 K, тогда как фототок от подложки монокристаллического Si без слоев Ge оказался значительно ослабленным. Такой результат может объясняться возникновением упругой деформации в структуре, влияющей на спектр оптического поглощения Si. Исследованные гетероструктуры обнаружили фоточувствительность при температуре ниже 120 K в спектральном диапазоне от 0.4 до 1.1 эВ, где монокристаллический Si является прозрачным. Фототок в этом диапазоне, возможно, обусловливается дырочными переходами из основных состояний, локализованных в квантовых точках, в делокализованные состояния валентной зоны. PACS: 73.63.Kv, 73.50.Pz, 78.67.Hc
  • A. Carbone, R. Introzzi, H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 82, 9242 (2003)
  • M. Ershov, H.C. Liu, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, V. Ryzhu. Appl. Phys. Lett., 70, 414 (1997)
  • T. Fromherz, P. Kruck, M. Helm, G. Bauer, J.F. Nutzel, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 68, 3611 (1996)
  • T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, N. Yam, V. Le Thanh, D. Bouchier. Appl. Phys. Lett., 77, 3224 (2000)
  • C. Meisner, O. Rothig, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 76, 1027 (2000)
  • S.-W. lee, K. Hirakawa, Y. Shimada. Appl. Phys. Lett., 75, 1428 (1999)
  • L. Chu, A. Zrenner, G. Borm, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 76, 1944 (2000)
  • Ю.М. Козырев, В.М. Огенко, М.Ю. Рубежанская, О.О. Чуйко. Докл. НАН Украины, 1, 76 (2002)
  • A.A. Dadykin, A.G. Naumovets, Yu.N. Kozyrev, M. Yu. Rubezhanska, P.M. Lytvyn, Yu.M. Litvin. Prog. Surf. Sci., 74, 305 (2003)
  • W.C. Dash, F. Newman. Phys. Rev., 99, 1151 (1955)
  • A.V. Dvurechenskiy, A.I. Jakimov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1143 (2001)
  • О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. ФТП, 34 (11), 1363 (2000)
  • Л.Г. Гречко, Ю.М. Козырев, Л.Б. Лерман, М.Ю. Рубежанская, О.О. Чуйко. Докл. НАН Украины, 10, 35 (2005)
  • A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskiy, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Phys. Rev. B, 63, 045 312 (2003)
  • C. Miesner, K. Brunner, G. Abstreiter. Phys. Status Solidi B 224 (2), 605 (2001)
  • O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko. Semicond. Phys., Quant. Optoelectron., 3, 540 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.