"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Об электронном сродстве политипов карбида кремния
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Значения электронного сродства рассчитаны двумя различными способами с помощью представления разрывов зон в гетеропереходах, образованных контактом 3C-SiC с некубическим политипом, в виде линейных функций от степени гексагональности. PACS: 73.20.At, 73.30.+y
  • Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  • A. Fissel. Phys. Reports, 379 (1), 149 (2003)
  • С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП, 39 (12), 1440 (2005)
  • А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богданова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002)
  • Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  • В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  • W.R.L. Lambrecht, S. Limpijumnog, B. Segall. Inst. Phys. Conf. Ser., N 142, chap. 2 ( Silicon Carbide and Related Materials) (1996) p. 263
  • A. Qteich, V. Heine, R.J. Needs. Phys. Rev. B, 45 (12), 6534 (1992)
  • M.J. Bazack. Phys. Status. Solidi B, 202 (2), 549 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.