Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дисперсия и неустойчивость дрейфовых волн в мелкослоистой полупроводниковой структуре

Булгаков А.А.¹, Шрамкова О.В.¹

¹Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина

Поступила в редакцию: 30 июня 2005 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены дрейфовые волны в мелкослоистой полупроводниковой периодической структуре, помещенной в электрическое поле, под действием которого возникает дрейф носителей разного знака. Показано, что дрейфовые волны в такой структуре могут распространяться под углом к направлению тока, а их свойства определяются толщинами слоев и направлением распространения. Эти волны образуются из волн концентрации в отдельных слоях, т. е. являются "коллективными" волнами. Получены условия возникновения неустойчивостей и аналитические соотношения для инкрементов нарастания. Возникновение неустойчивостей связано с обменом энергией между дрейфовыми волнами отдельных слоев. PACS: 73.20.Mf

Я.Б. Файнберг, Н.А. Хижняк. ЖТФ, 25, 711 (1955)
С.М. Рытов. ЖЭТФ, 29, 605 (1955)
Е.П. Богданов, Ю.А. Романов, В.М. Трошин. ЖТФ, 45, 32 (1975)
А.Б. Михайловский. Теория плазменных неустойчивостей. Т. 1 Неустойчивости однородной плазмы (М., Атомиздат, 1975)
А.И. Ахиезер, Я.Б. Файнберг. Докл. АН СССР, 69, 555 (1949)
O. Buneman. Phys. Rev. Lett., 1, 8 (1958)
O. Buneman. Phys. Rev., 115, 503 (1959)
D. Bohm, E.P. Gross. Phys. Rev., 75, 1864 (1949)
А.Б. Михайловский, Э.А. Пашицкий. ЖЭТФ, 48, 1787 (1965)
Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками (М., Наука, 1989)
А.И. Ахиезер, И.А. Ахиезер, Р.В. Половин, А.Г. Ситенко, К.Н. Степанов. Электродинамика плазмы (М., Наука, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель