Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Прыжковая проводимость в мезопористом кремнии с малой пористостью, сформированном на p⁺-Si<B>

Зимин С.П.¹

¹Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия Demidov State University, Yaroslavl, Russia

Поступила в редакцию: 3 февраля 2006 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована температурная зависимость электропроводности на постоянном токе в интервале 110-400 K слоев мезопористого кремния, сформированных на (111)-ориентированных пластинах p⁺-Si<B> с удельным сопротивлением 0.03 Ом·см. Величина весовой пористости находилась в интервале 18-30%. Показано, что в области температур ниже 200 K выполняется классический закон прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка вблизи уровня Ферми. Анализ температурной зависимости удельного сопротивления в области более высоких температур (200-400 K) свидетельствует о наличии двух активационных участков с энергиями активации 200-800 и 600-1200 мэВ. Описанная температурная зависимость проводимости исследуемых образцов в широком интервале температур соответствует модели разупорядоченных полупроводников с мелкомасшабными флуктуациями. PACS: 72.20.Ee, 72.80.Ng

Properties of porous silicon, ed. by L. Canham (Malvern., DERA, 1997) p. 83
С.П. Зимин. ФТП, 34, 359 (2000)
С.П. Зимин, А.Н. Брагин. ФТП, 33, 476 (1999)
S.P. Zimin, D.S. Zimin, Yu.V. Ryabkin, A.N. Bragin. Phys. Status Solidi A, 182, 221 (2000)
L.A. Balagurov, D.G. Yarkin, E.A. Petrova. Mater. Sci. Engin., B69--70, 127 (2000)
V.Yu. Timoshenko, V. Lysenko, Th. Dittrich, F. Koch. Phys. Status Solidi A, 182, 163 (2000)
S.P. Zimin, V.S. Kuznetsov, A.V. Prokaznikov. Simulation Semicond. Dev. Processes, 6, 322 (1995)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 252
А.И. Якимов, Н.П. Степина, А.В. Двуреченский. ЖЭТФ, 112, 926 (1997)
A. Naudon, P. Goudeau, V. Vezin. In: Porous silicon. Science and technology, ed. by J.-C. Vial, J. Derrien (Springer Verlad, Berlin Heidelberg and Les Edition de Physique, Les Ulis, 1995) p. 257

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель