Вышедшие номера
Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов АIIIВV и кремния
Минтаиров С.А.1, Емельянов В.М.1, Калюжный Н.А.1, Нахимович М.В.1, Салий Р.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 24 июня 2025 г.
Принята к печати: 18 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 13 октября 2025 г.

Проведено исследование различных пар АIIIВV материалов, с увеличенным содержанием алюминия в фотоактивных слоях широкозонных субэлементов, для формирования структур (Al)GaInP/(Al)GaAs//Si гибридных солнечных элементов. Выполнены расчеты спектральных характеристик внешней квантовой эффективности (Al)GaInP/(Al)GaAs//Si солнечных элементов. Получены прогнозные оценки для кпд солнечных элементов на основе структур, обеспечивающих эффективную работу приборов при преобразовании излучений: космического (АМ0, 1 sun) - GaInP2/Al0.1Ga0.9As//Si (33.5 %) и (Al0.17Ga0.83)InP2/Al0.1Ga0.9As//Si (34.9 %); наземного (АМ1.5D, 236 suns) - GaInP2/Al0.08Ga0.92As//Si (~43.1 %) и (Al0.14Ga0.86)InP2/Al0.08Ga0.92As//Si (~44.1 %). Ключевые слова: многопереходный солнечный элемент, МОСГФЭ, кпд, спектральная характеристика, математическое моделирование.
  1. M.A. Green, E.D. Dunlop, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, N. Kopidakis, X. Hao. Progr. Photovolt., 28, 629 (2020). DOI: 10.1002/pip.3303
  2. J.M. Olson, S.R. Kurtz, A.E. Kibbler. Appl. Phys. Lett., 56, 623 (1990). DOI: 10.1063/1.102717
  3. R.R. King, D.C. Law, C.M. Fetzer, R.A. Sherif, K.M. Edmondson, S. Kurtz, G.S. Kinsey, H.L. Cotal, D.D. Krut, J.H. Ermer, N.H. Karam. Proc. 20th EUPVSEC 2005, p. 118
  4. J.F. Geisz, R.M. France, K.L. Schulte, M.A. Steiner, A.N. Norman, H.L. Guthrey, M. Young, T. Song, T. Moriarty. Nature Energy, 5, 326 (2020). https://doi.org/10.1038/s41560-020-0598-5
  5. X. Li, G. Li, H. Lu, W. Zhang. J. Semicond., 42 (12), 122701 (2021). DOI: 10.1088/1674-4926/42/12/122701
  6. P. Patel, D. Aiken, D. Chumney, A. Cornfeld, Y. Lin, C. Mackos, M. Stan. IEEE 38th Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC) Part 2, Austin, TX, USA, 2012, 1. DOI: 10.1109/PVSC-Vol2.2012.6656717
  7. J.F. Geisz, S. Kurtz, M.W. Wanlass, J.S. Ward, A. Duda, D.J. Friedman, J.M. Olson, W.E. McMahon, T.E. Moriarty, J.T. Kiehl. Appl. Phys. Lett., 91, 023502 (2007). DOI: 10.1063/1.2753729
  8. Y.C. Kao, H.M. Chou, S.C. Hsu, A. Lin, C.C. Lin, Z.H. Shih, C.L. Chang, H.F. Hong, R.H. Hong. Sci. Rep., 9 (1), 4308 (2019). DOI: 10.1038/s41598-019-40727-y
  9. F. Dimroth, M. Grave, P. Beutel, U. Fiedeler, C. Karcher, T.N.D. Tibbits, E. Oliva, G. Siefer1, M. Schachtner, A. Wekkeli1, A.W. Bett1, R. Krause, M. Piccin, N. Blanc, C. Drazek, E. Guiot, B. Ghyselen, T. Salvetat, A. Tauzin, T. Signamarcheix, A. Dobrich, T. Hannappel, K. Schwarzburg. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 22 (3), 277 (2014). DOI: 10.1002/pip.2475
  10. P. Schygulla, R. Muller, D. Lackner, O. Hohn, H. Hauser, B. Blasi, F. Predan, J. Benick, M. Hermle, S. Glunz, F. Dimroth. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 30, 869 (2022). DOI: 10.1002/pip.3503
  11. P. Schygulla, R. Muller, O. Hohn, M. Schachner, D. Chojniak, A. Cordaro, S. Tabernig, B. Blasi, A. Polman, G. Siefer, D. Lackner, D. Frank. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 33 (1), 100 (2025). DOI:10.1002/pip.3769
  12. C.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 44 (8), 1118 (2010)
  13. С.А. Минтаиров, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, М.В. Нахимович, В.В. Олейник, Р.А. Салий, А.Ф. Скачков, Л.Н. Скачкова, М.З. Шварц. Письма ЖТФ, 51 (13), 40 (2025)
  14. H. Lin, M. Yang, X. Ru, G. Wang, S. Yin, F. Peng, C. Hong, M. Qu, J. Lu, L. Fang, C. Han, P. Procel, O. Isabella, P. Gao, Z. Li, X. Xu. Nature Energy, 8, 789 (2023). DOI: 10.1038/s41560-023-01255-2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.